MOSFET Vishay IRFD020PBF

El MOSFET Vishay es un encapsulado HVMDIP-4 de canal N que es un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 50V V y una tensión de fuente de puerta máxima de 20V V. Tiene una resistencia de fuente de drenaje de 100Mohm a una tensión de fuente de puerta de 10V V. El MOSFET tiene una disipación de potencia máxima de 1W mW. Este producto se ha optimizado para reducir las pérdidas de conducción y conmutación. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una larga vida útil sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.

• Compacto, apilable en los extremos
• Facilidad de conexión en paralelo
• Excelente estabilidad de temperatura
• Cambio rápido
• Para inserción automática
• Componente sin plomo (Pb)
• La temperatura de funcionamiento oscila entre 55 °C y 150 °C.

• Cargador de baterías
• Inversores
• Fuentes de alimentación
• Alimentación de modo conmutado (SMPS)