MOSFET Vishay, Tipo N-Canal, VDSS 400 V, ID 5.5 A, 1, config. Simple
- Código RS:
- 180-8631
- Nº ref. fabric.:
- IRF730ASPBF
- Fabricante:
- Vishay
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|---|---|---|
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| 50 - 120 | 2,108 € | 10,54 € |
| 125 - 245 | 1,948 € | 9,74 € |
| 250 - 495 | 1,834 € | 9,17 € |
| 500 + | 1,718 € | 8,59 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 180-8631
- Nº ref. fabric.:
- IRF730ASPBF
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 5.5A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 400V | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1Ω | |
| Tensión directa Vf | 1.6V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 22nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±30 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 74W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Certificaciones y estándares | RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21 | |
| Longitud | 9.65mm | |
| Anchura | 10.67 mm | |
| Altura | 4.83mm | |
| Número de elementos por chip | 1 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 5.5A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 400V | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1Ω | ||
Tensión directa Vf 1.6V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 22nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±30 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 74W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Certificaciones y estándares RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21 | ||
Longitud 9.65mm | ||
Anchura 10.67 mm | ||
Altura 4.83mm | ||
Número de elementos por chip 1 | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
MOSFET Vishay
El MOSFET de Vishay es un encapsulado de canal N, el TO-263-3 es un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 400 V y una tensión de fuente de puerta máxima de 30 V. Tiene una resistencia de fuente de drenaje de 10 mohm a una tensión de fuente de puerta de 10 V. El MOSFET tiene una disipación de potencia máxima de 74 W. Este producto se ha optimizado para reducir las pérdidas de conmutación y conducción. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una vida útil larga y productiva sin comprometer el rendimiento o la funcionalidad.
Características y ventajas
• Capacitancia y tensión de avalancha y corriente completamente caracterizadas
• Componente sin halógenos ni plomo (Pb)
• Puerta mejorada, avalancha y dV/dt dinámico
• La carga Qg de puerta baja resulta en un requisito de accionamiento sencillo
• Rangos de temperatura de funcionamiento entre -55 °C y 150 °C
• MOSFET de potencia TrenchFET
Aplicaciones
• Conmutación de alimentación de alta velocidad
• Fuente de alimentación de modo conmutado (SMPS)
• Fuentes de alimentación ininterrumpida
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