MOSFET Vishay, Tipo P-Canal, VDSS 400 V, ID 1.8 A, 1, config. Simple
- Código RS:
- 180-8772
- Nº ref. fabric.:
- IRFR9310PBF
- Fabricante:
- Vishay
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
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*precio indicativo
- Código RS:
- 180-8772
- Nº ref. fabric.:
- IRFR9310PBF
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 1.8A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 400V | |
| Tipo de montaje | Superficie, Orificio pasante | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 7Ω | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 13nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 50W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS-compliant | |
| Longitud | 9.65mm | |
| Número de elementos por chip | 1 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 1.8A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 400V | ||
Tipo de montaje Superficie, Orificio pasante | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 7Ω | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 13nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 50W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS-compliant | ||
Longitud 9.65mm | ||
Número de elementos por chip 1 | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
MOSFET Vishay
El MOSFET de Vishay de canal P es un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 400 V y una tensión de fuente de puerta máxima de 20 V. Tiene una resistencia de fuente de drenaje de 7 ohmios a una tensión de fuente de puerta de 10 V. El MOSFET tiene una disipación de potencia máxima de 50 W. Este producto se ha optimizado para reducir las pérdidas de conmutación y conducción. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una vida útil larga y productiva sin comprometer el rendimiento o la funcionalidad.
Características y ventajas
• Tecnología de proceso avanzada
• Conmutación rápida
• Valor nominal de avalancha total
• Componente sin halógenos ni plomo (Pb)
• Categorización del material
• Rangos de temperatura de funcionamiento entre -55 °C y 150 °C
Aplicaciones
• Cargadores de batería
• Inversores
• Fuentes de alimentación
• Fuente de alimentación de modo conmutado (SMPS)
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