MOSFET Vishay, Tipo P-Canal IRFR9310PBF, VDSS 400 V, ID 1.8 A, TO-252 de 3 pines, 1, config. Simple
- Código RS:
- 180-8348
- Nº ref. fabric.:
- IRFR9310PBF
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 180-8348
- Nº ref. fabric.:
- IRFR9310PBF
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 1.8A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 400V | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Tipo de montaje | Superficie, Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 7Ω | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 50W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 13nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Certificaciones y estándares | RoHS-compliant | |
| Longitud | 9.65mm | |
| Número de elementos por chip | 1 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 1.8A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 400V | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Tipo de montaje Superficie, Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 7Ω | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 50W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 13nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Certificaciones y estándares RoHS-compliant | ||
Longitud 9.65mm | ||
Número de elementos por chip 1 | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
MOSFET de Vishay, tensión de fuente de drenaje máxima de 400 V, corriente de drenaje continua máxima de 1,8 A - IRFR9310PBF
Este MOSFET es un transistor de potencia de canal P diseñado para tareas de conmutación y control de alta tensión en sistemas electrónicos industriales. Está diseñado para montaje en superficie o en orificio pasante y ofrece una configuración de transistor de un elemento adecuada para etapas de potencia discretas. El dispositivo funciona en un amplio rango de temperaturas y está clasificado para corriente continua moderada, lo que lo convierte en aplicable donde se requiere una conmutación compacta de alta tensión.
Características y ventajas:
• Capacidad de drenaje a fuente de 400 V que permite aplicaciones de alta tensión
• Resistencia de conexión de 7 Ω para pérdidas de conducción predecibles
• Corriente continua de 1,8 A compatible con corrientes de carga moderadas
• Disipación de potencia de 50 W para un manejo térmico sustancial
• Carga de puerta típica de 13 nC para un control de conmutación gestionable
• Accionamiento de puerta máximo de 20 V que permite un diseño de accionamiento de puerta flexible
• Resistencia de conexión de 7 Ω para pérdidas de conducción predecibles
• Corriente continua de 1,8 A compatible con corrientes de carga moderadas
• Disipación de potencia de 50 W para un manejo térmico sustancial
• Carga de puerta típica de 13 nC para un control de conmutación gestionable
• Accionamiento de puerta máximo de 20 V que permite un diseño de accionamiento de puerta flexible
Aplicaciones
• Apto para conmutación de potencia de alta tensión en automatización industrial
• Ideal para conmutación de carga de canal P en topologías de fuente de alimentación
• Se utiliza para etapas de transistor discretas en electrónica de control de motor
• Puede utilizarse para circuitos de protección y aislamiento en sistemas eléctricos
• Ideal para conmutación de carga de canal P en topologías de fuente de alimentación
• Se utiliza para etapas de transistor discretas en electrónica de control de motor
• Puede utilizarse para circuitos de protección y aislamiento en sistemas eléctricos
¿Qué estilos de encapsulado están disponibles para montaje en PCB o prototipos?
El dispositivo se suministra en un encapsulado TO-252 y admite opciones de montaje en superficie y orificio pasante para adaptarse a diferentes diseños de placa y necesidades de desarrollo de prototipos.
¿Cómo afecta el rendimiento térmico a las opciones de instalación?
Con una temperatura de unión máxima de 150 °C y un valor nominal de disipación de 50 W, debe incluirse una gestión térmica adecuada, como un disipador térmico o un área de cobre, para mantener temperaturas de funcionamiento seguras bajo cargas sostenidas.
¿Qué límites de accionamiento de puerta deben observarse al diseñar circuitos de control?
La tensión de puerta-fuente no debe exceder los 20 V, por lo que los controladores de puerta y los circuitos de cambio de nivel deben especificarse para permanecer dentro de este umbral.
¿Hay consideraciones ambientales o reglamentarias para su uso en montajes?
El componente cumple la directiva RoHS, lo que permite su uso en montajes donde se aplican directivas sobre sustancias restringidas.
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