MOSFET Vishay, Tipo N-Canal IRF730ASPBF, VDSS 400 V, ID 5.5 A, 1, config. Simple
- Código RS:
- 180-8303
- Nº ref. fabric.:
- IRF730ASPBF
- Fabricante:
- Vishay
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (1 tubo de 50 unidades)*
67,80 €
(exc. IVA)
82,05 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Disponible
- Disponible(s) 100 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 1,356 € | 67,80 € |
| 100 - 200 | 1,288 € | 64,40 € |
| 250 + | 1,22 € | 61,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 180-8303
- Nº ref. fabric.:
- IRF730ASPBF
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 5.5A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 400V | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1Ω | |
| Tensión directa Vf | 1.6V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±30 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 22nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 74W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Anchura | 10.67 mm | |
| Longitud | 9.65mm | |
| Altura | 4.83mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21 | |
| Número de elementos por chip | 1 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 5.5A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 400V | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1Ω | ||
Tensión directa Vf 1.6V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±30 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 22nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 74W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Anchura 10.67 mm | ||
Longitud 9.65mm | ||
Altura 4.83mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21 | ||
Número de elementos por chip 1 | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
MOSFET Vishay
El MOSFET de Vishay es un encapsulado de canal N, el TO-263-3 es un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 400 V y una tensión de fuente de puerta máxima de 30 V. Tiene una resistencia de fuente de drenaje de 10 mohm a una tensión de fuente de puerta de 10 V. El MOSFET tiene una disipación de potencia máxima de 74 W. Este producto se ha optimizado para reducir las pérdidas de conmutación y conducción. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una vida útil larga y productiva sin comprometer el rendimiento o la funcionalidad.
Características y ventajas
• Capacitancia y tensión de avalancha y corriente completamente caracterizadas
• Componente sin halógenos ni plomo (Pb)
• Puerta mejorada, avalancha y dV/dt dinámico
• La carga Qg de puerta baja resulta en un requisito de accionamiento sencillo
• Rangos de temperatura de funcionamiento entre -55 °C y 150 °C
• MOSFET de potencia TrenchFET
Aplicaciones
• Conmutación de alimentación de alta velocidad
• Fuente de alimentación de modo conmutado (SMPS)
• Fuentes de alimentación ininterrumpida
Enlaces relacionados
- MOSFET Vishay VDSS 400 V 1, config. Simple
- MOSFET de potencia Vishay VDSS 400 V config. Simple
- MOSFET de potencia Vishay VDSS 400 V config. Simple
- MOSFET onsemi FQPF6N80C ID 5.5 A config. Simple
- MOSFET Vishay VDSS 400 V 1, config. Simple
- MOSFET Vishay VDSS 400 V 1, config. Simple
- MOSFET de potencia Vishay VDSS 500 V 1, config. Simple
- MOSFET de potencia Vishay VDSS 500 V 1, config. Simple