MOSFET Vishay, Tipo N-Canal IRF730ASPBF, VDSS 400 V, ID 5.5 A, 1, config. Simple
- Código RS:
- 180-8303
- Nº ref. fabric.:
- IRF730ASPBF
- Fabricante:
- Vishay
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Unidad(es) | Por unidad | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 1,446 € | 72,30 € |
| 100 - 200 | 1,373 € | 68,65 € |
| 250 + | 1,301 € | 65,05 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 180-8303
- Nº ref. fabric.:
- IRF730ASPBF
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 5.5A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 400V | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1Ω | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±30 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 74W | |
| Tensión directa Vf | 1.6V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 22nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 9.65mm | |
| Altura | 4.83mm | |
| Anchura | 10.67 mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21 | |
| Número de elementos por chip | 1 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 5.5A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 400V | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1Ω | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±30 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 74W | ||
Tensión directa Vf 1.6V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 22nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 9.65mm | ||
Altura 4.83mm | ||
Anchura 10.67 mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21 | ||
Número de elementos por chip 1 | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
MOSFET Vishay
El MOSFET de Vishay es un encapsulado de canal N, el TO-263-3 es un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 400 V y una tensión de fuente de puerta máxima de 30 V. Tiene una resistencia de fuente de drenaje de 10 mohm a una tensión de fuente de puerta de 10 V. El MOSFET tiene una disipación de potencia máxima de 74 W. Este producto se ha optimizado para reducir las pérdidas de conmutación y conducción. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una vida útil larga y productiva sin comprometer el rendimiento o la funcionalidad.
Características y ventajas
• Capacitancia y tensión de avalancha y corriente completamente caracterizadas
• Componente sin halógenos ni plomo (Pb)
• Puerta mejorada, avalancha y dV/dt dinámico
• La carga Qg de puerta baja resulta en un requisito de accionamiento sencillo
• Rangos de temperatura de funcionamiento entre -55 °C y 150 °C
• MOSFET de potencia TrenchFET
Aplicaciones
• Conmutación de alimentación de alta velocidad
• Fuente de alimentación de modo conmutado (SMPS)
• Fuentes de alimentación ininterrumpida
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