onsemi IGBT, FGH75T65SQDNL4, Tipo P-Canal, 75 A, 650 V, TO-247, 4 pines Orificio pasante, 1 MHz

Código RS:: 181-1929
Nº ref. fabric.:: FGH75T65SQDNL4
Fabricante:: onsemi

onsemi IGBT, FGH75T65SQDNL4, Tipo P-Canal, 75 A, 650 V, TO-247, 4 pines Orificio pasante, 1 MHz

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Código RS:: 181-1929
Nº ref. fabric.:: FGH75T65SQDNL4
Fabricante:: onsemi

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	onsemi
	Tipo de producto	IGBT
	Corriente continua máxima de colector Ic	75A
	Tensión Colector-Emisor máxima VCEO	650V
	Disipación de potencia máxima Pd	375W
	Encapsulado	TO-247
	Tipo de montaje	Orificio pasante
	Tipo de canal	Tipo P
	Número de pines	4
	Velocidad de conmutación	1MHZ
	Tensión máxima del emisor de puerta VGEO	20 V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT	1.43V
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Serie	Field Stop IV
	Certificaciones y estándares	Pb-Free, Halide Free
	Estándar de automoción	No
	Energía nominal	160mJ

	Seleccionar todo
	Marca onsemi
	Tipo de producto IGBT
	Corriente continua máxima de colector Ic 75A
	Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 650V
	Disipación de potencia máxima Pd 375W
	Encapsulado TO-247
	Tipo de montaje Orificio pasante
	Tipo de canal Tipo P
	Número de pines 4
	Velocidad de conmutación 1MHZ
	Tensión máxima del emisor de puerta VGEO 20 V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 1.43V
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Serie Field Stop IV
	Certificaciones y estándares Pb-Free, Halide Free
	Estándar de automoción No
	Energía nominal 160mJ

Datasheet

COO (País de Origen):: CN

This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features a robust and cost effective Field Stop IV Trench construction, and provides superior performance in demanding switching applications, offering both low on state voltage and minimal switching loss. In addition, this new device is packaged in a TO−247−4L package that provides significant reduction in Eon Losses compared to standard TO−247−3L package. The IGBT is well suited for UPS and solar applications. Incorporated into the device is a soft and fast co−packaged free wheeling diode with a low forward voltage.

Extremely Efficient Trench with Field Stop Technology

TJmax = 175°C

Improved Gate Control Lowers Switching Losses

Separate Emitter Drive Pin

TO-247-4L for Minimal Eon Losses

Optimized for High Speed Switching

These are Pb-Free Devices

Solar Inverter

Uninterruptible Power Inverter Supplies

Neutral Point Clamp Topology

onsemi IGBT, FGH75T65SQDNL4, Tipo P-Canal, 75 A, 650 V, TO-247, 4 pines Orificio pasante, 1 MHz

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