onsemi IGBT, FGH75T65SQDNL4, Tipo P-Canal, 75 A, 650 V, TO-247, 4 pines Orificio pasante, 1 MHz

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Código RS:
181-1929
Nº ref. fabric.:
FGH75T65SQDNL4
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Corriente continua máxima de colector Ic

75A

Tipo de producto

IGBT

Tensión Colector-Emisor máxima VCEO

650V

Disipación de potencia máxima Pd

375W

Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Orificio pasante

Tipo de canal

Tipo P

Número de pines

4

Velocidad de conmutación

1MHz

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

20 V

Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT

1.43V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

Pb-Free, Halide Free

Serie

Field Stop IV

Energía nominal

160mJ

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features a robust and cost effective Field Stop IV Trench construction, and provides superior performance in demanding switching applications, offering both low on state voltage and minimal switching loss. In addition, this new device is packaged in a TO−247−4L package that provides significant reduction in Eon Losses compared to standard TO−247−3L package. The IGBT is well suited for UPS and solar applications. Incorporated into the device is a soft and fast co−packaged free wheeling diode with a low forward voltage.

Extremely Efficient Trench with Field Stop Technology

TJmax = 175°C

Improved Gate Control Lowers Switching Losses

Separate Emitter Drive Pin

TO-247-4L for Minimal Eon Losses

Optimized for High Speed Switching

These are Pb-Free Devices

Solar Inverter

Uninterruptible Power Inverter Supplies

Neutral Point Clamp Topology

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