IGBT, FGH75T65SQDNL4, P-Canal, 200 A, 650 V, TO-247, 4-Pines, 1MHZ 1 Simple
- Código RS:
- 181-1929
- Nº ref. fabric.:
- FGH75T65SQDNL4
- Fabricante:
- onsemi
Disponibilidad limitada
No podemos confirmar fecha de entrega
- Código RS:
- 181-1929
- Nº ref. fabric.:
- FGH75T65SQDNL4
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 200 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 650 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±20V | |
| Número de transistores | 1 | |
| Disipación de Potencia Máxima | 375 W | |
| Tipo de Encapsulado | TO-247 | |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante | |
| Tipo de Canal | P | |
| Conteo de Pines | 4 | |
| Velocidad de Conmutación | 1MHZ | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Dimensiones | 15.8 x 5.2 x 22.74mm | |
| Capacitancia de puerta | 5100pF | |
| Energía nominal | 160mJ | |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +175 °C | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 200 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 650 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor ±20V | ||
Número de transistores 1 | ||
Disipación de Potencia Máxima 375 W | ||
Tipo de Encapsulado TO-247 | ||
Tipo de Montaje Montaje en orificio pasante | ||
Tipo de Canal P | ||
Conteo de Pines 4 | ||
Velocidad de Conmutación 1MHZ | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Dimensiones 15.8 x 5.2 x 22.74mm | ||
Capacitancia de puerta 5100pF | ||
Energía nominal 160mJ | ||
Temperatura Máxima de Funcionamiento +175 °C | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C | ||
- COO (País de Origen):
- CN
This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features a robust and cost effective Field Stop IV Trench construction, and provides superior performance in demanding switching applications, offering both low on state voltage and minimal switching loss. In addition, this new device is packaged in a TO−247−4L package that provides significant reduction in Eon Losses compared to standard TO−247−3L package. The IGBT is well suited for UPS and solar applications. Incorporated into the device is a soft and fast co−packaged free wheeling diode with a low forward voltage.
Extremely Efficient Trench with Field Stop Technology
TJmax = 175°C
Improved Gate Control Lowers Switching Losses
Separate Emitter Drive Pin
TO-247-4L for Minimal Eon Losses
Optimized for High Speed Switching
These are Pb-Free Devices
Solar Inverter
Uninterruptible Power Inverter Supplies
Neutral Point Clamp Topology
TJmax = 175°C
Improved Gate Control Lowers Switching Losses
Separate Emitter Drive Pin
TO-247-4L for Minimal Eon Losses
Optimized for High Speed Switching
These are Pb-Free Devices
Solar Inverter
Uninterruptible Power Inverter Supplies
Neutral Point Clamp Topology