IGBT, FGH75T65SHDTL4, 150 A, 650 V, TO-247, 4-Pines, 1MHZ 1 Simple
- Código RS:
- 181-1889
- Nº ref. fabric.:
- FGH75T65SHDTL4
- Fabricante:
- onsemi
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- Código RS:
- 181-1889
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- FGH75T65SHDTL4
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 150 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 650 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±20V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 455 W | |
| Número de transistores | 1 | |
| Tipo de Encapsulado | TO-247 | |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante | |
| Conteo de Pines | 4 | |
| Velocidad de Conmutación | 1MHZ | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Dimensiones | 15.8 x 5.2 x 22.74mm | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C | |
| Capacitancia de puerta | 3710pF | |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +175 °C | |
| Energía nominal | 160mJ | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 150 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 650 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor ±20V | ||
Disipación de Potencia Máxima 455 W | ||
Número de transistores 1 | ||
Tipo de Encapsulado TO-247 | ||
Tipo de Montaje Montaje en orificio pasante | ||
Conteo de Pines 4 | ||
Velocidad de Conmutación 1MHZ | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Dimensiones 15.8 x 5.2 x 22.74mm | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C | ||
Capacitancia de puerta 3710pF | ||
Temperatura Máxima de Funcionamiento +175 °C | ||
Energía nominal 160mJ | ||
- COO (País de Origen):
- CN
Using novel field stop IGBT technology, Fairchilds new series of field stop 3rd generation IGBTs offer the optimum performance for solar inverter, UPS, welder, telecom, ESS and PFC applications where low conduction and switching losses are essential.
Maximum Junction Temperature: TJ =175°C
Positive Temperature Co-efficient for Easy Parallel Operating
High Current Capability
Low Saturation Voltage: VCE (sat) =1.6 V (Typ.) @ IC = 75 A
100% of the Parts Tested for ILM(1)
High Input Impedance
Fast Switching
Tighten Parameter Distribution
Positive Temperature Co-efficient for Easy Parallel Operating
High Current Capability
Low Saturation Voltage: VCE (sat) =1.6 V (Typ.) @ IC = 75 A
100% of the Parts Tested for ILM(1)
High Input Impedance
Fast Switching
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