onsemi IGBT, FGH75T65SHDTL4, Tipo P-Canal, 75 A, 650 V, TO-247, 4 pines Orificio pasante, 1 MHz
- Código RS:
- 181-1889
- Nº ref. fabric.:
- FGH75T65SHDTL4
- Fabricante:
- onsemi
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- 181-1889
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- FGH75T65SHDTL4
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- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Corriente continua máxima de colector Ic | 75A | |
| Tipo de producto | IGBT | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 650V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 455W | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Número de pines | 4 | |
| Velocidad de conmutación | 1MHZ | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 1.6V | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Serie | Field Stop 3rd generation | |
| Estándar de automoción | No | |
| Energía nominal | 160mJ | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Corriente continua máxima de colector Ic 75A | ||
Tipo de producto IGBT | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 650V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 455W | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Número de pines 4 | ||
Velocidad de conmutación 1MHZ | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 1.6V | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Serie Field Stop 3rd generation | ||
Estándar de automoción No | ||
Energía nominal 160mJ | ||
- COO (País de Origen):
- CN
Using novel field stop IGBT technology, Fairchild’s new series of field stop 3rd generation IGBTs offer the optimum performance for solar inverter, UPS, welder, telecom, ESS and PFC applications where low conduction and switching losses are essential.
Maximum Junction Temperature: TJ =175°C
Positive Temperature Co-efficient for Easy Parallel Operating
High Current Capability
Low Saturation Voltage: VCE (sat) =1.6 V (Typ.) @ IC = 75 A
100% of the Parts Tested for ILM(1)
High Input Impedance
Fast Switching
Tighten Parameter Distribution
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