onsemi IGBT, Tipo P-Canal, 75 A, 650 V, TO-247, 4 pines Orificio pasante, 1 MHz
- Código RS:
- 181-1866
- Nº ref. fabric.:
- FGH75T65SHDTL4
- Fabricante:
- onsemi
No disponible actualmente
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- Código RS:
- 181-1866
- Nº ref. fabric.:
- FGH75T65SHDTL4
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 75A | |
| Tipo de producto | IGBT | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 650V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 455W | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Número de pines | 4 | |
| Velocidad de conmutación | 1MHz | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | 20 V | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 1.6V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Serie | Field Stop 3rd generation | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Energía nominal | 160mJ | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 75A | ||
Tipo de producto IGBT | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 650V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 455W | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Número de pines 4 | ||
Velocidad de conmutación 1MHz | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO 20 V | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 1.6V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Serie Field Stop 3rd generation | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Energía nominal 160mJ | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
Using novel field stop IGBT technology, Fairchilds new series of field stop 3rd generation IGBTs offer the optimum performance for solar inverter, UPS, welder, telecom, ESS and PFC applications where low conduction and switching losses are essential.
Maximum Junction Temperature: TJ =175°C
Positive Temperature Co-efficient for Easy Parallel Operating
High Current Capability
Low Saturation Voltage: VCE (sat) =1.6 V (Typ.) @ IC = 75 A
100% of the Parts Tested for ILM(1)
High Input Impedance
Fast Switching
Tighten Parameter Distribution
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