Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	onsemi
	Corriente Máxima Continua del Colector	150 A
	Tensión Máxima Colector-Emisor	650 V
	Tensión Máxima Puerta-Emisor	±20V
	Disipación de Potencia Máxima	455 W
	Número de transistores	1
	Tipo de Encapsulado	TO-247
	Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
	Tipo de Canal	P
	Conteo de Pines	4
	Velocidad de Conmutación	1MHZ
	Configuración de transistor	Simple
	Dimensiones	15.8 x 5.2 x 22.74mm
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
	Energía nominal	160mJ
	Capacitancia de puerta	3710pF
	Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C

	Seleccionar todo
	Marca onsemi
	Corriente Máxima Continua del Colector 150 A
	Tensión Máxima Colector-Emisor 650 V
	Tensión Máxima Puerta-Emisor ±20V
	Disipación de Potencia Máxima 455 W
	Número de transistores 1
	Tipo de Encapsulado TO-247
	Tipo de Montaje Montaje en orificio pasante
	Tipo de Canal P
	Conteo de Pines 4
	Velocidad de Conmutación 1MHZ
	Configuración de transistor Simple
	Dimensiones 15.8 x 5.2 x 22.74mm
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C
	Energía nominal 160mJ
	Capacitancia de puerta 3710pF
	Temperatura Máxima de Funcionamiento +175 °C

Datasheet

COO (País de Origen):: CN

Using novel field stop IGBT technology, Fairchild’s new series of field stop 3rd generation IGBTs offer the optimum performance for solar inverter, UPS, welder, telecom, ESS and PFC applications where low conduction and switching losses are essential.

Maximum Junction Temperature: TJ =175°C
Positive Temperature Co-efficient for Easy Parallel Operating
High Current Capability
Low Saturation Voltage: VCE (sat) =1.6 V (Typ.) @ IC = 75 A
100% of the Parts Tested for ILM(1)
High Input Impedance
Fast Switching
Tighten Parameter Distribution

IGBT, FGH75T65SHDTL4, P-Canal, 150 A, 650 V, TO-247, 4-Pines, 1MHZ 1 Simple

Enlaces relacionados