IGBT, FGH75T65SHDTL4, P-Canal, 150 A, 650 V, TO-247, 4-Pines, 1MHZ 1 Simple

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Código RS:
181-1866
Nº ref. fabric.:
FGH75T65SHDTL4
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Corriente Máxima Continua del Colector

150 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

650 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

±20V

Número de transistores

1

Disipación de Potencia Máxima

455 W

Tipo de Encapsulado

TO-247

Tipo de Montaje

Montaje en orificio pasante

Tipo de Canal

P

Conteo de Pines

4

Velocidad de Conmutación

1MHZ

Configuración de transistor

Simple

Dimensiones

15.8 x 5.2 x 22.74mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Energía nominal

160mJ

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+175 °C

Capacitancia de puerta

3710pF

COO (País de Origen):
CN
Using novel field stop IGBT technology, Fairchild’s new series of field stop 3rd generation IGBTs offer the optimum performance for solar inverter, UPS, welder, telecom, ESS and PFC applications where low conduction and switching losses are essential.

Maximum Junction Temperature: TJ =175°C
Positive Temperature Co-efficient for Easy Parallel Operating
High Current Capability
Low Saturation Voltage: VCE (sat) =1.6 V (Typ.) @ IC = 75 A
100% of the Parts Tested for ILM(1)
High Input Impedance
Fast Switching
Tighten Parameter Distribution

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