onsemi IGBT, Tipo P-Canal, 75 A, 650 V, TO-247, 4 pines Orificio pasante, 1 MHz

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Código RS:
181-1866
Nº ref. fabric.:
FGH75T65SHDTL4
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de producto

IGBT

Corriente continua máxima de colector Ic

75A

Tensión Colector-Emisor máxima VCEO

650V

Disipación de potencia máxima Pd

455W

Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Orificio pasante

Tipo de canal

Tipo P

Número de pines

4

Velocidad de conmutación

1MHZ

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

20 V

Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT

1.6V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Serie

Field Stop 3rd generation

Energía nominal

160mJ

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
Using novel field stop IGBT technology, Fairchild’s new series of field stop 3rd generation IGBTs offer the optimum performance for solar inverter, UPS, welder, telecom, ESS and PFC applications where low conduction and switching losses are essential.

Maximum Junction Temperature: TJ =175°C

Positive Temperature Co-efficient for Easy Parallel Operating

High Current Capability

Low Saturation Voltage: VCE (sat) =1.6 V (Typ.) @ IC = 75 A

100% of the Parts Tested for ILM(1)

High Input Impedance

Fast Switching

Tighten Parameter Distribution

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