onsemi IGBT, Tipo P-Canal, 60 A, 650 V, TO-247 G03, 3 pines Orificio pasante

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Código RS:
178-4259
Nº ref. fabric.:
FGH60T65SQD-F155
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Corriente continua máxima de colector Ic

60A

Tipo de producto

IGBT

Tensión Colector-Emisor máxima VCEO

650V

Disipación de potencia máxima Pd

333W

Encapsulado

TO-247 G03

Tipo de montaje

Orificio pasante

Tipo de canal

Tipo P

Número de pines

3

Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT

1.6V

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

±30 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Serie

Field Stop 4th Generation

Energía nominal

50mJ

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
Con la nueva tecnología Field Stop IGBT, la nueva serie de ON Semiconductor de IGBT Field Stop de 4.ª generación ofrece un rendimiento óptimo para aplicaciones como inversores solares, SAI, soldadores, telecomunicaciones, ESS y PFC, en las que es fundamental una conducción y unas pérdidas de conmutación bajas.

Temperatura de conexión máxima: TJ = 175 °C

Coeficiente de temperatura positivo para facilitar el funcionamiento en paralelo

Capacidad de corriente alta

Tensión de saturación baja: VCE(sat) = 1,6 V (típ.) con IC = 60 A

Alta impedancia de entrada

Conmutación rápida

Distribución de parámetros ajustada

Aplicaciones

Inversores solares, SAI, soldadores, telecomunicaciones, ESS, PFC

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