Nº ref. fabric.

onsemi IGBT, Tipo P-Canal, 60 A, 650 V, TO-247 G03, 3 pines Orificio pasante

Código RS:: 178-4259
Nº ref. fabric.:: FGH60T65SQD-F155
Fabricante:: onsemi

onsemi IGBT, Tipo P-Canal, 60 A, 650 V, TO-247 G03, 3 pines Orificio pasante

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Código RS:: 178-4259
Nº ref. fabric.:: FGH60T65SQD-F155
Fabricante:: onsemi

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	onsemi
	Corriente continua máxima de colector Ic	60A
	Tipo de producto	IGBT
	Tensión Colector-Emisor máxima VCEO	650V
	Disipación de potencia máxima Pd	333W
	Encapsulado	TO-247 G03
	Tipo de montaje	Orificio pasante
	Tipo de canal	Tipo P
	Número de pines	3
	Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT	1.6V
	Tensión máxima del emisor de puerta VGEO	±30 V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Certificaciones y estándares	RoHS
	Serie	Field Stop 4th Generation
	Energía nominal	50mJ
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca onsemi
	Corriente continua máxima de colector Ic 60A
	Tipo de producto IGBT
	Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 650V
	Disipación de potencia máxima Pd 333W
	Encapsulado TO-247 G03
	Tipo de montaje Orificio pasante
	Tipo de canal Tipo P
	Número de pines 3
	Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 1.6V
	Tensión máxima del emisor de puerta VGEO ±30 V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Certificaciones y estándares RoHS
	Serie Field Stop 4th Generation
	Energía nominal 50mJ
	Estándar de automoción No

COO (País de Origen):: CN

Con la nueva tecnología Field Stop IGBT, la nueva serie de ON Semiconductor de IGBT Field Stop de 4.ª generación ofrece un rendimiento óptimo para aplicaciones como inversores solares, SAI, soldadores, telecomunicaciones, ESS y PFC, en las que es fundamental una conducción y unas pérdidas de conmutación bajas.

Temperatura de conexión máxima: TJ = 175 °C

Coeficiente de temperatura positivo para facilitar el funcionamiento en paralelo

Capacidad de corriente alta

Tensión de saturación baja: VCE(sat) = 1,6 V (típ.) con IC = 60 A

Alta impedancia de entrada

Conmutación rápida

Distribución de parámetros ajustada

Aplicaciones

Inversores solares, SAI, soldadores, telecomunicaciones, ESS, PFC

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