IGBT, FGH60T65SQD-F155, P-Canal, 60 A, 650 V, TO-247 G03, 3-Pines 1 Simple
- Código RS:
- 178-4259
- Nº ref. fabric.:
- FGH60T65SQD-F155
- Fabricante:
- onsemi
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Unidad(es) | Por unidad | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 30 + | 2,739 € | 82,17 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 178-4259
- Nº ref. fabric.:
- FGH60T65SQD-F155
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 60 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 650 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±30V | |
| Número de transistores | 1 | |
| Disipación de Potencia Máxima | 333 W | |
| Tipo de Encapsulado | TO-247 G03 | |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante | |
| Tipo de Canal | P | |
| Conteo de Pines | 3 | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Dimensiones | 15.87 x 4.82 x 20.82mm | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C | |
| Energía nominal | 50mJ | |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +175 °C | |
| Capacitancia de puerta | 3813pF | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 60 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 650 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor ±30V | ||
Número de transistores 1 | ||
Disipación de Potencia Máxima 333 W | ||
Tipo de Encapsulado TO-247 G03 | ||
Tipo de Montaje Montaje en orificio pasante | ||
Tipo de Canal P | ||
Conteo de Pines 3 | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Dimensiones 15.87 x 4.82 x 20.82mm | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C | ||
Energía nominal 50mJ | ||
Temperatura Máxima de Funcionamiento +175 °C | ||
Capacitancia de puerta 3813pF | ||
- COO (País de Origen):
- CN
Con la nueva tecnología Field Stop IGBT, la nueva serie de ON Semiconductor de IGBT Field Stop de 4. generación ofrece un rendimiento óptimo para aplicaciones como inversores solares, SAI, soldadores, telecomunicaciones, ESS y PFC, en las que es fundamental una conducción y unas pérdidas de conmutación bajas.
Temperatura de conexión máxima: TJ = 175 °C
Coeficiente de temperatura positivo para facilitar el funcionamiento en paralelo
Capacidad de corriente alta
Tensión de saturación baja: VCE(sat) = 1,6 V (típ.) con IC = 60 A
Alta impedancia de entrada
Conmutación rápida
Distribución de parámetros ajustada
Aplicaciones
Inversores solares, SAI, soldadores, telecomunicaciones, ESS, PFC
Coeficiente de temperatura positivo para facilitar el funcionamiento en paralelo
Capacidad de corriente alta
Tensión de saturación baja: VCE(sat) = 1,6 V (típ.) con IC = 60 A
Alta impedancia de entrada
Conmutación rápida
Distribución de parámetros ajustada
Aplicaciones
Inversores solares, SAI, soldadores, telecomunicaciones, ESS, PFC