Infineon IGBT, IGW30N65L5XKSA1, Tipo N-Canal, 85 A, 650 V, TO-247, 3 pines Orificio pasante

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Código RS:
215-6634
Nº ref. fabric.:
IGW30N65L5XKSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Corriente continua máxima de colector Ic

85A

Tipo de producto

IGBT

Tensión Colector-Emisor máxima VCEO

650V

Disipación de potencia máxima Pd

227W

Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Orificio pasante

Tipo de canal

Tipo N

Número de pines

3

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

±30 V

Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT

1.5V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

Pb-free lead plating, RoHS, JEDEC

Serie

LowVCE(sat) Fifth Generation

Estándar de automoción

No

Transistor bipolar de Infineon de quinta generación con puerta aislada y tensión de saturación baja.

Eficiencia alta

Pérdidas de conmutación bajas

Mayor fiabilidad

Baja interferencia electromagnética

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