IGBT, IKZ50N65EH5XKSA1, 85 A, 650 V, PG-TO247-4, 4-Pines
- Código RS:
- 215-6676
- Nº ref. fabric.:
- IKZ50N65EH5XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 30 + | 2,592 € | 77,76 € |
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- Código RS:
- 215-6676
- Nº ref. fabric.:
- IKZ50N65EH5XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 85 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 650 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±20 V, ±30 V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 273 W | |
| Tipo de Encapsulado | PG-TO247-4 | |
| Conteo de Pines | 4 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 85 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 650 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor ±20 V, ±30 V | ||
Disipación de Potencia Máxima 273 W | ||
Tipo de Encapsulado PG-TO247-4 | ||
Conteo de Pines 4 | ||
El transistor bipolar Infineon 650v duopack de puerta aislada y diodo se cocopia con Rapid 1 diodo antiparalelo rápido y suave.
Eficiencia alta
Pérdidas de conmutación bajas
Mayor fiabilidad
Baja interferencia electromagnética
Pérdidas de conmutación bajas
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Baja interferencia electromagnética