Infineon IGBT, IGB50N65H5ATMA1, Tipo N-Canal, 50 A, 650 V, TO-263, 3 pines Superficie 1

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Código RS:
218-4390
Nº ref. fabric.:
IGB50N65H5ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Corriente continua máxima de colector Ic

50A

Tipo de producto

IGBT

Tensión Colector-Emisor máxima VCEO

650V

Disipación de potencia máxima Pd

270W

Número de transistores

1

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Superficie

Tipo de canal

Tipo N

Número de pines

3

Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT

1.65V

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

±20 ±30 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

JEDEC47/20/22

Serie

High Speed Fifth Generation

Longitud

10.31mm

Altura

4.57mm

Anchura

9.45 mm

Estándar de automoción

No

La tecnología Infineon TRENCHSTOP IGBT5 redefine el IGBT más eficaz de su clase, lo que da como resultado una temperatura de caja y unión más baja, lo que da como resultado una mayor fiabilidad del dispositivo al proporcionar un rendimiento sin precedentes en términos de eficiencia para aplicaciones de conmutación dura. Tiene una tensión de emisor de colector de 650 V y una corriente de colector de 80 A.

Diseño de mayor densidad de potencia

50V aumento de la tensión de bus posible sin comprometer la fiabilidad

Coeficiente de temperatura positivo suave

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