Infineon IGBT, IGB50N65H5ATMA1, Tipo N-Canal, 50 A, 650 V, TO-263, 3 pines Superficie 1
- Código RS:
- 218-4390
- Nº ref. fabric.:
- IGB50N65H5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (1 paquete de 5 unidades)*
15,30 €
(exc. IVA)
18,50 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Disponible
- Disponible(s) 2980 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 3,06 € | 15,30 € |
| 25 - 45 | 2,752 € | 13,76 € |
| 50 - 120 | 2,57 € | 12,85 € |
| 125 - 245 | 2,388 € | 11,94 € |
| 250 + | 2,204 € | 11,02 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 218-4390
- Nº ref. fabric.:
- IGB50N65H5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de producto | IGBT | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 50A | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 650V | |
| Número de transistores | 1 | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 270W | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Número de pines | 3 | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | ±20 ±30 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 1.65V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Serie | High Speed Fifth Generation | |
| Longitud | 10.31mm | |
| Certificaciones y estándares | JEDEC47/20/22 | |
| Altura | 4.57mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de producto IGBT | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 50A | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 650V | ||
Número de transistores 1 | ||
Disipación de potencia máxima Pd 270W | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Número de pines 3 | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO ±20 ±30 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 1.65V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Serie High Speed Fifth Generation | ||
Longitud 10.31mm | ||
Certificaciones y estándares JEDEC47/20/22 | ||
Altura 4.57mm | ||
Estándar de automoción No | ||
La tecnología Infineon TRENCHSTOP IGBT5 redefine el IGBT más eficaz de su clase, lo que da como resultado una temperatura de caja y unión más baja, lo que da como resultado una mayor fiabilidad del dispositivo al proporcionar un rendimiento sin precedentes en términos de eficiencia para aplicaciones de conmutación dura. Tiene una tensión de emisor de colector de 650 V y una corriente de colector de 80 A.
Diseño de mayor densidad de potencia
50V aumento de la tensión de bus posible sin comprometer la fiabilidad
Coeficiente de temperatura positivo suave
Enlaces relacionados
- Infineon IGBT 50 A TO-263, 3 pines Superficie 1
- Infineon IGBT 40 A TO-263, 3 pines Orificio pasante
- Infineon IGBT 80 A PG-TO-263, 3 pines Superficie
- Infineon IGBT Tipo N-Canal 650 V 3 pines Orificio pasante
- Infineon IGBT Tipo N-Canal 650 V 3 pines Superficie
- Infineon CI de transistor único IGBT 30 A TO-263, 3 pines Superficie
- Infineon CI de transistor único IGBT 79 A TO-263, 3 pines Superficie
- Infineon CI de transistor único IGBT 74 A TO-263, 3 pines Superficie