Infineon IGBT, IGP20N65H5XKSA1, 20 A, 650 V, TO-220
- Código RS:
- 242-0978
- Nº ref. fabric.:
- IGP20N65H5XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (1 paquete de 2 unidades)*
2,21 €
(exc. IVA)
2,674 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Disponible
- Disponible(s) 264 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 1,105 € | 2,21 € |
| 10 - 98 | 1,045 € | 2,09 € |
| 100 - 248 | 0,995 € | 1,99 € |
| 250 - 498 | 0,95 € | 1,90 € |
| 500 + | 0,905 € | 1,81 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 242-0978
- Nº ref. fabric.:
- IGP20N65H5XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de producto | IGBT | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 20A | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 650V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 125W | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | ±20 ±30 V | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 1.65V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 29.95mm | |
| Altura | 4.57mm | |
| Serie | High Speed Fifth Generation | |
| Certificaciones y estándares | JEDEC | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de producto IGBT | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 20A | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 650V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 125W | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO ±20 ±30 V | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 1.65V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 29.95mm | ||
Altura 4.57mm | ||
Serie High Speed Fifth Generation | ||
Certificaciones y estándares JEDEC | ||
Estándar de automoción No | ||
El transistor IGBT de Infineon tiene una tensión de ruptura de 650 V. La temperatura de unión máxima del transistor es de 175 °C.
La mejor eficiencia de su clase en topologías de conmutación dura y resonancia
Sustitución Plug and Play de IGBT de generación anterior
Aplicable en convertidores solares, fuentes de alimentación ininterrumpida, convertidores de soldadura
Convertidores de frecuencia de conmutación de gama media a alta
Enlaces relacionados
- Infineon IGBT 650 V, TO-220
- Infineon Módulo IGBT 650 V, TO-220
- Infineon Módulo IGBT 30 A TO-220
- Infineon IGBT 650 V, TO-220 Orificio pasante
- Infineon IGBT 40 A TO-220 Orificio pasante
- Infineon CI de transistor único IGBT 650 V, TO-220
- Infineon CI de transistor único IGBT 28 A TO-220
- Infineon IGBT 650 V 3 pines Orificio pasante