Infineon IGBT, IGP20N65H5XKSA1, 20 A, 650 V, TO-220

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
242-0978
Nº ref. fabric.:
IGP20N65H5XKSA1
Fabricante:
Infineon
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Tipo de producto

IGBT

Corriente continua máxima de colector Ic

20A

Tensión Colector-Emisor máxima VCEO

650V

Disipación de potencia máxima Pd

125W

Encapsulado

TO-220

Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT

1.65V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

±20 ±30 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

JEDEC

Longitud

29.95mm

Serie

High Speed Fifth Generation

Anchura

10.36 mm

Altura

4.57mm

Estándar de automoción

No

El transistor IGBT de Infineon tiene una tensión de ruptura de 650 V. La temperatura de unión máxima del transistor es de 175 °C.

La mejor eficiencia de su clase en topologías de conmutación dura y resonancia

Sustitución Plug and Play de IGBT de generación anterior

Aplicable en convertidores solares, fuentes de alimentación ininterrumpida, convertidores de soldadura

Convertidores de frecuencia de conmutación de gama media a alta

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