Infineon Módulo IGBT, FP75R12KT4BOSA1, 1200 V, EconoPIM 7
- Código RS:
- 244-5854
- Nº ref. fabric.:
- FP75R12KT4BOSA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 244-5854
- Nº ref. fabric.:
- FP75R12KT4BOSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | Módulo IGBT | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 1200V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 385W | |
| Número de transistores | 7 | |
| Encapsulado | EconoPIM | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | 20 V | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 2.15V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Serie | FP75R12KT4B | |
| Altura | 17mm | |
| Anchura | 62.5 mm | |
| Longitud | 122mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto Módulo IGBT | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 1200V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 385W | ||
Número de transistores 7 | ||
Encapsulado EconoPIM | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO 20 V | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 2.15V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Serie FP75R12KT4B | ||
Altura 17mm | ||
Anchura 62.5 mm | ||
Longitud 122mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
El módulo IGBT de Infineon tiene una tensión de emisor-colector nominal máxima de 1.200 V y una disipación de potencia total de 355 W, así como una tensión de umbral de puerta máxima de 6,5 V.
Aislamiento interno aislamiento básico (clase 1, IEC 61140)
Tensión de pico del emisor de puerta +/- 20 V
Tensión de saturación del emisor-colector 2,15 V
Corriente de fuga del emisor de puerta 400 nA