Infineon Módulo IGBT, 4.7 A, TO-263
- Código RS:
- 258-3756
- Nº ref. fabric.:
- IMBG120R350M1HXTMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 258-3756
- Nº ref. fabric.:
- IMBG120R350M1HXTMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 4.7A | |
| Tipo de producto | Módulo IGBT | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 65W | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | JEDEC47/20/22 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 4.7A | ||
Tipo de producto Módulo IGBT | ||
Disipación de potencia máxima Pd 65W | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares JEDEC47/20/22 | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET SiC CoolSiC1200 de 350 mΩ de V de Infineon en un encapsulado D2PAK-7L se basa en un proceso de semiconductor de trinchera de última generación optimizado para combinar rendimiento con fiabilidad en funcionamiento. Las bajas pérdidas de potencia de la tecnología CoolSiC, combinadas con la tecnología de interconexión XT en un nuevo encapsulado SMD optimizado de 1.200 V, permiten una eficiencia superior y un potencial de refrigeración pasiva en aplicaciones como unidades, cargadores y fuentes de alimentación industriales.
Pérdidas de conmutación muy bajas
Tiempo de resistencia a cortocircuitos, 3 μs
dV/dt completamente controlable
Mejora de la eficiencia
Permite una frecuencia más alta
Mayor densidad de potencia