Módulo transistor IGBT, IMBG120R350M1HXTMA1, PG-TO263-7
- Código RS:
- 258-3757
- Nº ref. fabric.:
- IMBG120R350M1HXTMA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
| 1 - 9 | 4,80 € |
| 10 - 24 | 4,26 € |
| 25 - 49 | 4,03 € |
| 50 - 99 | 3,75 € |
| 100 + | 3,46 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 258-3757
- Nº ref. fabric.:
- IMBG120R350M1HXTMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de Encapsulado | PG-TO263-7 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de Encapsulado PG-TO263-7 | ||
El MOSFET SiC CoolSiC1200 de 350 mΩ de V de Infineon en un encapsulado D2PAK-7L se basa en un proceso de semiconductor de trinchera de última generación optimizado para combinar rendimiento con fiabilidad en funcionamiento. Las bajas pérdidas de potencia de la tecnología CoolSiC, combinadas con la tecnología de interconexión XT en un nuevo encapsulado SMD optimizado de 1.200 V, permiten una eficiencia superior y un potencial de refrigeración pasiva en aplicaciones como unidades, cargadores y fuentes de alimentación industriales.
Pérdidas de conmutación muy bajas
Tiempo de resistencia a cortocircuitos, 3 μs
dV/dt completamente controlable
Mejora de la eficiencia
Permite una frecuencia más alta
Mayor densidad de potencia
Tiempo de resistencia a cortocircuitos, 3 μs
dV/dt completamente controlable
Mejora de la eficiencia
Permite una frecuencia más alta
Mayor densidad de potencia