Infineon Módulo IGBT, 95 A, 650 V, ACEPACK 2 Abrazadera
- Código RS:
- 259-1502
- Nº ref. fabric.:
- FS75R07W2E3B11ABOMA1
- Fabricante:
- Infineon
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682,38 €
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Unidad(es) | Por unidad | Por Bandeja* |
|---|---|---|
| 15 - 15 | 45,492 € | 682,38 € |
| 30 + | 43,217 € | 648,26 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 259-1502
- Nº ref. fabric.:
- FS75R07W2E3B11ABOMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | Módulo IGBT | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 95A | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 650V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 275W | |
| Encapsulado | ACEPACK 2 | |
| Tipo de montaje | Abrazadera | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | 20 V | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 1.9V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Serie | FP75 | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Altura | 12mm | |
| Anchura | 42.5 mm | |
| Longitud | 56.7mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto Módulo IGBT | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 95A | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 650V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 275W | ||
Encapsulado ACEPACK 2 | ||
Tipo de montaje Abrazadera | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO 20 V | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 1.9V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Serie FP75 | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Altura 12mm | ||
Anchura 42.5 mm | ||
Longitud 56.7mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Los módulos 2B Easy Pack de Infineon con IGBT3 de parada en trinchera, 3 diodos controlados por emisor y PressFIT / NTC.
Mayor capacidad de tensión de bloqueo hasta 650 V
Pérdidas de conmutación bajas
VCEsat bajo
Trench IGBT 3
Sustrato Al2O3 con baja resistencia térmica
Alta densidad de potencia
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