Infineon Módulo IGBT, F3L100R07W2E3B11BOMA1, 117 A, 650 V, Módulo Panel

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Código RS:
273-7362
Nº ref. fabric.:
F3L100R07W2E3B11BOMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Corriente continua máxima de colector Ic

117A

Tipo de producto

Módulo IGBT

Tensión Colector-Emisor máxima VCEO

650V

Disipación de potencia máxima Pd

300W

Encapsulado

Módulo

Tipo de montaje

Panel

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT

1.9V

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

16.4mm

Longitud

62.8mm

Anchura

56.7 mm

Certificaciones y estándares

UL (E83335)

Estándar de automoción

No

El módulo IGBT de Infineon tiene 650 V VCES, corriente de colector dc continua de 100 A, módulo IGBT de etapa de fase de 3 niveles con bloqueo de trinchera TRENCHSTOP IGBT3, 3 diodos controlados por emisor, tecnología de contacto NTC y Press FIT. Este módulo IGBT aumenta la capacidad de tensión de bloqueo a 650 V y está disponible con sustrato Al2O3 con baja resistencia térmica.

VCEsat bajo

Diseño compacto

Montaje robusto

Diseño de baja inductividad

Pérdidas de conmutación bajas

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