Infineon Módulo IGBT, F3L100R07W2E3B11BOMA1, 117 A, 650 V, Módulo Panel
- Código RS:
- 273-7362
- Nº ref. fabric.:
- F3L100R07W2E3B11BOMA1
- Fabricante:
- Infineon
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*precio indicativo
- Código RS:
- 273-7362
- Nº ref. fabric.:
- F3L100R07W2E3B11BOMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 117A | |
| Tipo de producto | Módulo IGBT | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 650V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 300W | |
| Encapsulado | Módulo | |
| Tipo de montaje | Panel | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | 20 V | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 1.9V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | UL (E83335) | |
| Longitud | 62.8mm | |
| Altura | 16.4mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 117A | ||
Tipo de producto Módulo IGBT | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 650V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 300W | ||
Encapsulado Módulo | ||
Tipo de montaje Panel | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO 20 V | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 1.9V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares UL (E83335) | ||
Longitud 62.8mm | ||
Altura 16.4mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El módulo IGBT de Infineon tiene 650 V VCES, corriente de colector dc continua de 100 A, módulo IGBT de etapa de fase de 3 niveles con bloqueo de trinchera TRENCHSTOP IGBT3, 3 diodos controlados por emisor, tecnología de contacto NTC y Press FIT. Este módulo IGBT aumenta la capacidad de tensión de bloqueo a 650 V y está disponible con sustrato Al2O3 con baja resistencia térmica.
VCEsat bajo
Diseño compacto
Montaje robusto
Diseño de baja inductividad
Pérdidas de conmutación bajas
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