Módulo IGBT, F3L100R07W2E3B11BOMA1, 117 A, 650 V, Módulo
- Código RS:
- 273-7362
- Nº ref. fabric.:
- F3L100R07W2E3B11BOMA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Bandeja* |
|---|---|---|
| 15 - 90 | 68,974 € | 1.034,61 € |
| 105 + | 63,226 € | 948,39 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 273-7362
- Nº ref. fabric.:
- F3L100R07W2E3B11BOMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 117 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 650 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | +/-20V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 300 W | |
| Tipo de Encapsulado | Módulo | |
| Tipo de Montaje | Montaje en panel | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 117 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 650 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor +/-20V | ||
Disipación de Potencia Máxima 300 W | ||
Tipo de Encapsulado Módulo | ||
Tipo de Montaje Montaje en panel | ||
El módulo IGBT de Infineon tiene 650 V VCES, corriente de colector dc continua de 100 A, módulo IGBT de etapa de fase de 3 niveles con bloqueo de trinchera TRENCHSTOP IGBT3, 3 diodos controlados por emisor, tecnología de contacto NTC y Press FIT. Este módulo IGBT aumenta la capacidad de tensión de bloqueo a 650 V y está disponible con sustrato Al2O3 con baja resistencia térmica.
VCEsat bajo
Diseño compacto
Montaje robusto
Diseño de baja inductividad
Pérdidas de conmutación bajas
Diseño compacto
Montaje robusto
Diseño de baja inductividad
Pérdidas de conmutación bajas