Nº ref. fabric.

Módulo transistor IGBT, FS75R07W2E3B11ABOMA1, 95 A, 650 V, ACEPACK 2

Código RS:: 259-1503
Nº ref. fabric.:: FS75R07W2E3B11ABOMA1
Fabricante:: Infineon

Módulo transistor IGBT, FS75R07W2E3B11ABOMA1, 95 A, 650 V, ACEPACK 2

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Código RS:: 259-1503
Nº ref. fabric.:: FS75R07W2E3B11ABOMA1
Fabricante:: Infineon

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

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Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Corriente Máxima Continua del Colector	95 A
	Tensión Máxima Colector-Emisor	650 V
	Tensión Máxima Puerta-Emisor	±20V
	Disipación de Potencia Máxima	275 W
	Configuración	Array 6
	Tipo de Encapsulado	ACEPACK 2

	Seleccionar todo
	Marca Infineon
	Corriente Máxima Continua del Colector 95 A
	Tensión Máxima Colector-Emisor 650 V
	Tensión Máxima Puerta-Emisor ±20V
	Disipación de Potencia Máxima 275 W
	Configuración Array 6
	Tipo de Encapsulado ACEPACK 2

Datasheet - FS75R07W2E3B11ABOMA1

Los módulos 2B Easy Pack de Infineon con IGBT3 de parada en trinchera, 3 diodos controlados por emisor y PressFIT / NTC.

Mayor capacidad de tensión de bloqueo hasta 650 V
Pérdidas de conmutación bajas
VCEsat bajo
Trench IGBT 3
Sustrato Al2O3 con baja resistencia térmica
Alta densidad de potencia

Módulo transistor IGBT, FS75R07W2E3B11ABOMA1, 95 A, 650 V, ACEPACK 2

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