Infineon Diodo híbrido discreto, IKZA75N65SS5XKSA1, 75 A, 650 V, PG-TO247-4-3, 4 pines 2 Orificio pasante

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Código RS:
273-2993
Nº ref. fabric.:
IKZA75N65SS5XKSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Corriente continua máxima de colector Ic

75A

Tipo de producto

Diodo híbrido discreto

Tensión Colector-Emisor máxima VCEO

650V

Número de transistores

2

Disipación de potencia máxima Pd

395W

Encapsulado

PG-TO247-4-3

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

4

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

20.9mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Anchura

15.7 mm

Altura

4.9mm

Estándar de automoción

No

El IGBT discreto de Infineon con diodo Schottky de carburo de silicio tiene pérdidas de conmutación ultrabajas gracias a la combinación de tecnología de diodo TRENCHSTOP 5 y CoolSiC, así como el encapsulado de emisor kelvin.

Máxima eficacia

Reducción del esfuerzo de refrigeración

Mayor densidad de potencia

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