Vishay IGBT, SUM70060E-GE3, N-Canal, TO-263, 3 pines Superficie
- Código RS:
- 180-8025
- Nº ref. fabric.:
- SUM70060E-GE3
- Fabricante:
- Vishay
No disponible actualmente
No sabemos si este producto volverá a estar disponible, ya que el fabricante lo está descatalogando.
- Código RS:
- 180-8025
- Nº ref. fabric.:
- SUM70060E-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | IGBT | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 375W | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Tipo de canal | N | |
| Número de pines | 3 | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 15.875mm | |
| Anchura | 10.414mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Serie | ThunderFET | |
| Estándar de automoción | No | |
| Energía nominal | 125mJ | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto IGBT | ||
Disipación de potencia máxima Pd 375W | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Tipo de canal N | ||
Número de pines 3 | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 15.875mm | ||
Anchura 10.414mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Serie ThunderFET | ||
Estándar de automoción No | ||
Energía nominal 125mJ | ||
- COO (País de Origen):
- CN
MOSFET Vishay
El MOSFET Vishay es un encapsulado TO-263-3 de canal N, un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 100V V y una tensión de fuente de puerta máxima de 20V V. Tiene una resistencia de fuente de drenaje de 5,6mohm a una tensión de fuente de puerta de 10V V. El MOSFET tiene una disipación de potencia máxima de 375W mW. Este producto se ha optimizado para reducir las pérdidas de conducción y conmutación. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una larga vida útil sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.
Características y ventajas
• Componente libre de halógenos y plomo (Pb)
• La temperatura de funcionamiento oscila entre 55 °C y 175 °C.
• MOSFET de potencia TrenchFET
Aplicaciones
• Fuentes de alimentación de modo conmutado CA/CC
• Gestión de la batería
• inversores dc/ac
• convertidores dc/dc
• Iluminación
• Interruptores de mando del motor
• Rectificador síncrono
• Fuentes de alimentación ininterrumpida