IGBT, SUM70060E-GE3

El MOSFET Vishay es un encapsulado TO-263-3 de canal N, un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 100V V y una tensión de fuente de puerta máxima de 20V V. Tiene una resistencia de fuente de drenaje de 5,6mohm a una tensión de fuente de puerta de 10V V. El MOSFET tiene una disipación de potencia máxima de 375W mW. Este producto se ha optimizado para reducir las pérdidas de conducción y conmutación. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una larga vida útil sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.

• Componente libre de halógenos y plomo (Pb)
• La temperatura de funcionamiento oscila entre 55 °C y 175 °C.
• MOSFET de potencia TrenchFET

• Fuentes de alimentación de modo conmutado CA/CC
• Gestión de la batería
• inversores dc/ac
• convertidores dc/dc
• Iluminación
• Interruptores de mando del motor
• Rectificador síncrono
• Fuentes de alimentación ininterrumpida