Vishay IGBT, Tipo N-Canal, TO-247AC, 3 pines
- Código RS:
- 180-7344
- Nº ref. fabric.:
- SIHG47N60EF-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 tubo de 25 unidades)*
150,20 €
(exc. IVA)
181,75 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Está siendo descatalogado
- Últimas 25 unidad(es) disponibles desde otro centro de distribución
Unidad(es) | Por unidad | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | 6,008 € | 150,20 € |
| 50 - 100 | 5,407 € | 135,18 € |
| 125 + | 4,806 € | 120,15 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 180-7344
- Nº ref. fabric.:
- SIHG47N60EF-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | IGBT | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 379W | |
| Encapsulado | TO-247AC | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Número de pines | 3 | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | 30 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Anchura | 15.87 mm | |
| Longitud | 16.25mm | |
| Serie | EF | |
| Energía nominal | 1500mJ | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto IGBT | ||
Disipación de potencia máxima Pd 379W | ||
Encapsulado TO-247AC | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Número de pines 3 | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO 30 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Anchura 15.87 mm | ||
Longitud 16.25mm | ||
Serie EF | ||
Energía nominal 1500mJ | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
El Vishay SIHG47N60EF es un MOSFET de potencia de la serie EF de canal N con diodo de cuerpo rápido que tiene drenaje para tensión de fuente (VDS) de 600V V y tensión de puerta a fuente (VGS) de 30V V. Tiene que tener encapsulado TO-247AC. Ofrece resistencia de drenaje a fuente (RDS.) de 0,065ohms V a 10VGS mA. Corriente de drenaje máxima: 47A A.
MOSFET de diodo de cuerpo rápido usando tecnología de la serie E.
Reducción de trr, Qrr e IRRM
Figura baja de mérito (FOM) Ron x QG
