Vishay IGBT, SIHG47N60EF-GE3, N-Canal, TO-247AC, 3 pines
- Código RS:
- 180-7913
- Nº ref. fabric.:
- SIHG47N60EF-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (1 unidad)*
9,55 €
(exc. IVA)
11,56 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Últimas existencias de RS
- Última(s) 34 unidad(es) disponible(s) para enviar desde otro centro de distribución
Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
| 1 - 9 | 9,55 € |
| 10 - 24 | 9,29 € |
| 25 - 49 | 8,80 € |
| 50 - 99 | 8,40 € |
| 100 + | 7,92 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 180-7913
- Nº ref. fabric.:
- SIHG47N60EF-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | IGBT | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 379W | |
| Encapsulado | TO-247AC | |
| Tipo de canal | N | |
| Número de pines | 3 | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | 30 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 16.25mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Anchura | 15.87mm | |
| Serie | EF | |
| Estándar de automoción | No | |
| Energía nominal | 1500mJ | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto IGBT | ||
Disipación de potencia máxima Pd 379W | ||
Encapsulado TO-247AC | ||
Tipo de canal N | ||
Número de pines 3 | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO 30 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 16.25mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Anchura 15.87mm | ||
Serie EF | ||
Estándar de automoción No | ||
Energía nominal 1500mJ | ||
- COO (País de Origen):
- CN
El Vishay SIHG47N60EF es un MOSFET de potencia de la serie EF de canal N con diodo de cuerpo rápido que tiene drenaje para tensión de fuente (VDS) de 600V V y tensión de puerta a fuente (VGS) de 30V V. Tiene que tener encapsulado TO-247AC. Ofrece resistencia de drenaje a fuente (RDS.) de 0,065ohms V a 10VGS mA. Corriente de drenaje máxima: 47A A.
MOSFET de diodo de cuerpo rápido usando tecnología de la serie E.
Reducción de trr, Qrr e IRRM
Figura baja de mérito (FOM) Ron x QG
Enlaces relacionados
- Vishay IGBT TO-247AC, 3 pines
- MOSFET VDSS 850 V TO-247AC
- Vishay IGBT Tipo N-Canal 3 pines Superficie
- MOSFET Vishay VDSS 650 V TO-247AC, config. Simple
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-247AC de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-247AC de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-247AC de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-247AC de 3 pines