MOSFET Vishay SIHB053N60E-GE3, VDSS 600 V, ID 47 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines

Código RS:: 225-9909
Nº ref. fabric.:: SIHB053N60E-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET Vishay SIHB053N60E-GE3, VDSS 600 V, ID 47 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines

Temporalmente fuera de stock. El producto se entregará cuando vuelva a estar disponible.

Precio unitario (En un Tubo de 50)

4,454 €

(exc. IVA)

5,389 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Tubo*
50 - 50	4,454 €	222,70 €
100 - 200	4,187 €	209,35 €
250 +	3,786 €	189,30 €

*precio indicativo

Código RS:: 225-9909
Nº ref. fabric.:: SIHB053N60E-GE3
Fabricante:: Vishay

Documentación Técnica

Datasheet - SIHB053N60E-GE3

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

El Vishay Siliconix mantiene los datos de fiabilidad para la tecnología de semiconductores y la fiabilidad del encapsulado representa un compuesto de todas las ubicaciones cualificadas.

Tecnología de la serie E de 4th generación
Figura de mérito (FOM) Ron x Qg baja
Baja capacitancia efectiva (Co(er))
Menores pérdidas por conmutación y conducción
Energía nominal de avalancha (UIS)

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	47 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	600 V
Serie	E-Series
Tipo de Encapsulado	D2PAK (TO-263)
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	0,054 Ω
Tensión de umbral de puerta máxima	5V
Número de Elementos por Chip	1

MOSFET Vishay SIHB053N60E-GE3, VDSS 600 V, ID 47 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines

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Especificaciones

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