MOSFET de potencia, N-Canal Vishay SIHB15N60E-GE3, VDSS 600 V, ID 15 A, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 256-7410
- Nº ref. fabric.:
- SIHB15N60E-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (1 tubo de 50 unidades)*
121,80 €
(exc. IVA)
147,40 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Últimas existencias de RS
- Última(s) 950 unidad(es) disponible(s) para enviar desde otro centro de distribución
Unidad(es) | Por unidad | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 2,436 € | 121,80 € |
| 100 - 450 | 2,30 € | 115,00 € |
| 500 - 950 | 1,99 € | 99,50 € |
| 1000 + | 1,693 € | 84,65 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 256-7410
- Nº ref. fabric.:
- SIHB15N60E-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 15A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Serie | E | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.28Ω | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 78nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 180W | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | +150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 15A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Serie E | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.28Ω | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 78nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 180W | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima +150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de potencia serie E de Vishay, tensión de fuente de drenaje máxima de 600 V, corriente de drenaje continua máxima de 15 A - SIHB15N60E-GE3
Este MOSFET de potencia es un dispositivo de conmutación de alta tensión diseñado para electrónica de potencia de montaje en superficie. Proporciona conducción de canal N adecuada para funciones de conmutación y gestión de potencia en montajes industriales y comerciales, funcionando en un amplio rango de temperatura ambiente para entornos exigentes.
Características y ventajas:
• El valor nominal de drenaje de 600 V permite la conmutación de alta tensión
• La corriente de drenaje continua de 15 A admite corrientes de carga sustanciales
• Rds(on) de 0,28 Ω minimiza las pérdidas por conducción bajo carga
• La disipación de potencia de 180 W soporta tensiones térmicas elevadas
• La carga de puerta de 78 nC a 30 V Vgs permite requisitos de accionamiento predecibles
• El encapsulado de superficie TO‐263 simplifica el montaje de PCB en etapas de potencia
• La corriente de drenaje continua de 15 A admite corrientes de carga sustanciales
• Rds(on) de 0,28 Ω minimiza las pérdidas por conducción bajo carga
• La disipación de potencia de 180 W soporta tensiones térmicas elevadas
• La carga de puerta de 78 nC a 30 V Vgs permite requisitos de accionamiento predecibles
• El encapsulado de superficie TO‐263 simplifica el montaje de PCB en etapas de potencia
Aplicaciones
• Apto para fuentes de alimentación de modo conmutado de alta tensión
• Ideal para etapas de conmutación frontales de accionamiento por motor
• Se utiliza para control de balasto de iluminación e industrial
• Puede utilizarse para la conversión de potencia en inversores renovables
• Se utiliza con placas de gestión térmica para módulos de alta potencia
• Ideal para etapas de conmutación frontales de accionamiento por motor
• Se utiliza para control de balasto de iluminación e industrial
• Puede utilizarse para la conversión de potencia en inversores renovables
• Se utiliza con placas de gestión térmica para módulos de alta potencia
¿Qué rango de tensión de accionamiento de puerta debe observarse?
El dispositivo tolera tensiones de puerta de hasta 30 V, por lo que los circuitos de accionamiento deben permanecer dentro de este límite para evitar sobretensión de puerta.
¿Cómo afecta el entorno térmico a la fiabilidad?
Las uniones pueden funcionar en entornos de -55 °C a +150 °C, lo que requiere un disipador térmico adecuado o cobre para PCB para un uso sostenido de alta potencia.
¿Qué consideraciones de encapsulado hay para el diseño de PCB?
El contorno de montaje en superficie de 3 contactos TO‐263 requiere grandes almohadillas térmicas y carriles de alta corriente cortos para reducir la resistencia parásita y mejorar la refrigeración.
¿Es adecuado para aplicaciones de transmisión de automoción?
No está clasificado conforme a los estándares de automoción, por lo que no debe utilizarse donde se requieren cualificaciones específicas para automoción.
Enlaces relacionados
- MOSFET de potencia VDSS 600 V TO-263 de 3 pines
- MOSFET de potencia VDSS 600 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET de potencia VDSS 600 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET de potencia VDSS 600 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET de potencia VDSS 600 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 600 V TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, TO-263 de 3 pines