Infineon Diodo híbrido discreto, IKZA75N65SS5XKSA1, 75 A, 650 V, PG-TO247-4-3, 4 pines 2 Orificio pasante

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Código RS:
273-2994
Nº ref. fabric.:
IKZA75N65SS5XKSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

Diodo híbrido discreto

Corriente continua máxima de colector Ic

75A

Tensión Colector-Emisor máxima VCEO

650V

Disipación de potencia máxima Pd

395W

Número de transistores

2

Encapsulado

PG-TO247-4-3

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

4

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Longitud

20.9mm

Anchura

15.7 mm

Altura

4.9mm

Estándar de automoción

No

El IGBT discreto de Infineon con diodo Schottky de carburo de silicio tiene pérdidas de conmutación ultrabajas gracias a la combinación de tecnología de diodo TRENCHSTOP 5 y CoolSiC, así como el encapsulado de emisor kelvin.

Máxima eficacia

Reducción del esfuerzo de refrigeración

Mayor densidad de potencia

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