IGBT, GT30J121, N-Canal, 30 A, 600 V, TO-3P, 3-Pines, 1MHZ Simple
- Código RS:
- 796-5058
- Nº ref. fabric.:
- GT30J121
- Fabricante:
- Toshiba
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 unidad)*
4,50 €
(exc. IVA)
5,44 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Disponible
- Disponible(s) 22 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
- Disponible(s) 81 unidad(es) más para enviar a partir del 02 de enero de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
| 1 - 24 | 4,50 € |
| 25 - 49 | 4,27 € |
| 50 - 199 | 4,03 € |
| 200 - 399 | 3,60 € |
| 400 + | 3,36 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 796-5058
- Nº ref. fabric.:
- GT30J121
- Fabricante:
- Toshiba
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Toshiba | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 30 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 600 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±20V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 170 W | |
| Tipo de Encapsulado | TO-3P | |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante | |
| Tipo de Canal | N | |
| Conteo de Pines | 3 | |
| Velocidad de Conmutación | 1MHZ | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Dimensiones | 15.9 x 4.8 x 20mm | |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Toshiba | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 30 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 600 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor ±20V | ||
Disipación de Potencia Máxima 170 W | ||
Tipo de Encapsulado TO-3P | ||
Tipo de Montaje Montaje en orificio pasante | ||
Tipo de Canal N | ||
Conteo de Pines 3 | ||
Velocidad de Conmutación 1MHZ | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Dimensiones 15.9 x 4.8 x 20mm | ||
Temperatura Máxima de Funcionamiento +150 °C | ||
Discretos IGBT, Toshiba
IGBT discretos y módulos, Toshiba
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.
Enlaces relacionados
- IGBT N-Canal 600 V 3-Pines, 1MHZ Simple
- IGBT N-Canal 600 V 3-Pines, 1MHZ Simple
- IGBT N-Canal 600 V 3-Pines, 1MHZ Simple
- IGBT N-Canal 600 V 3-Pines, 1MHZ Simple
- IGBT N-Canal 600 V 3-Pines, 1MHZ Simple
- IGBT N-Canal 650 V 3-Pines, 1MHZ Simple
- IGBT N-Canal 600 V 3-Pines, 1MHZ Simple
- IGBT N-Canal 600 V 3-Pines, 1MHZ Simple