Toshiba IGBT, GT50JR21, N-Canal, 50 A, 600 V, TO-3P, 3 pines Orificio pasante, Orificio pasante

Ver todo IGBT
No disponible actualmente
Desconocemos si volveremos a disponer de este artículo. RS tiene previsto retirarlo próximamente de nuestra gama de productos.
Opciones de empaquetado:
Código RS:
796-5061
Nº ref. fabric.:
GT50JR21
Fabricante:
Toshiba
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Toshiba

Estándar de automoción

No

Tipo de producto

IGBT

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de colector (Ic)

50 A

Tensión Colector-Emisor máxima (VCEO)

600 V

Encapsulado

TO-3P

Número de pines

3

Tipo de montaje

Orificio pasante, Orificio pasante

Tensión de saturación máxima Colector-Emisor (VCE(SAT))

2 V

Tensión máxima del emisor de puerta (VGEO)

25 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175 °C

Disipación de potencia máxima (Pd)

230 W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Certificaciones y estándares

RoHS

IGBT Discretes, Toshiba


IGBT Discretes & Modules, Toshiba


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Enlaces relacionados

Mantente al día de nuestras novedades y ofertas

Introduce tu dirección de correo

La información personal que nos proporciones al suscribirte se procesará de acuerdo con nuestra política de privacidad.