Littelfuse IGBT, NGB8207ABNT4G, Tipo N-Canal, 20 A, 365 V, TO-263, 3 pines Superficie, 6 μs
- Código RS:
- 805-1753
- Nº ref. fabric.:
- NGB8207ABNT4G
- Fabricante:
- Littelfuse
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- 805-1753
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- Fabricante:
- Littelfuse
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Littelfuse | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 20A | |
| Tipo de producto | IGBT | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 365V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 165W | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Número de pines | 3 | |
| Velocidad de conmutación | 6μs | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 2.2V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | 15 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 10.29mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Serie | Ignition IGBT | |
| Altura | 4.83mm | |
| Anchura | 15.88 mm | |
| Energía nominal | 500mJ | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Littelfuse | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 20A | ||
Tipo de producto IGBT | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 365V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 165W | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Número de pines 3 | ||
Velocidad de conmutación 6μs | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 2.2V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO 15 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 10.29mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Serie Ignition IGBT | ||
Altura 4.83mm | ||
Anchura 15.88 mm | ||
Energía nominal 500mJ | ||
Estándar de automoción No | ||
Discretos IGBT, ON Semiconductor
Transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) para variador de motor y otras aplicaciones de conmutación de alta corriente.
Discretos IGBT, ON Semiconductor
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.