Littelfuse IGBT, NGB8207ABNT4G, Tipo N-Canal, 20 A, 365 V, TO-263, 3 pines Superficie, 6 μs

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Código RS:
805-1753
Nº ref. fabric.:
NGB8207ABNT4G
Fabricante:
Littelfuse
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Marca

Littelfuse

Corriente continua máxima de colector Ic

20A

Tipo de producto

IGBT

Tensión Colector-Emisor máxima VCEO

365V

Disipación de potencia máxima Pd

165W

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Superficie

Tipo de canal

Tipo N

Número de pines

3

Velocidad de conmutación

6μs

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

15 V

Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT

2.2V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

4.83mm

Longitud

10.29mm

Serie

Ignition IGBT

Certificaciones y estándares

RoHS

Energía nominal

500mJ

Estándar de automoción

No

Discretos IGBT, ON Semiconductor


Transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) para variador de motor y otras aplicaciones de conmutación de alta corriente.

Discretos IGBT, ON Semiconductor


El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.

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