IGBT, STGB10NB37LZT4, N-Canal, 20 A, 375 V, D2PAK (TO-263), 3-Pines Simple
- Código RS:
- 686-8341
- Nº ref. fabric.:
- STGB10NB37LZT4
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
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| 10 - 18 | 2,20 € | 4,40 € |
| 20 - 48 | 1,98 € | 3,96 € |
| 50 - 98 | 1,78 € | 3,56 € |
| 100 + | 1,70 € | 3,40 € |
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- Código RS:
- 686-8341
- Nº ref. fabric.:
- STGB10NB37LZT4
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 20 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 375 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | 12V | |
| Tipo de Encapsulado | D2PAK (TO-263) | |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial | |
| Tipo de Canal | N | |
| Conteo de Pines | 3 | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Dimensiones | 10.4 x 9.35 x 4.6mm | |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +175 °C | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -65 °C | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 20 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 375 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor 12V | ||
Tipo de Encapsulado D2PAK (TO-263) | ||
Tipo de Montaje Montaje superficial | ||
Tipo de Canal N | ||
Conteo de Pines 3 | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Dimensiones 10.4 x 9.35 x 4.6mm | ||
Temperatura Máxima de Funcionamiento +175 °C | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -65 °C | ||
Discretos IGBT, STMicroelectronics
IGBT discretos y módulos, STMicroelectronics
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.