STMicroelectronics IGBT, STGB10NB37LZT4, Tipo N-Canal, 10 A, 375 V, TO-263, 3 pines Superficie, 8 μs
- Código RS:
- 686-8341
- Nº ref. fabric.:
- STGB10NB37LZT4
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 10A | |
| Tipo de producto | IGBT | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 375V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 125W | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Número de pines | 3 | |
| Velocidad de conmutación | 8μs | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 1.8V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -65°C | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | 12 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 28.9mm | |
| Altura | 4.6mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 10A | ||
Tipo de producto IGBT | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 375V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 125W | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Número de pines 3 | ||
Velocidad de conmutación 8μs | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 1.8V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -65°C | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO 12 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 28.9mm | ||
Altura 4.6mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
Discretos IGBT, STMicroelectronics
IGBT discretos y módulos, STMicroelectronics
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.
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