STMicroelectronics IGBT, Tipo N-Canal, 10 A, 375 V, TO-263, 3 pines Superficie, 8 μs

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Código RS:
168-6461
Nº ref. fabric.:
STGB10NB37LZT4
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

IGBT

Corriente continua máxima de colector Ic

10A

Tensión Colector-Emisor máxima VCEO

375V

Disipación de potencia máxima Pd

125W

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Superficie

Tipo de canal

Tipo N

Número de pines

3

Velocidad de conmutación

8μs

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-65°C

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

12 V

Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT

1.8V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

4.6mm

Longitud

28.9mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
MY

Discretos IGBT, STMicroelectronics


IGBT discretos y módulos, STMicroelectronics


El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.

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