MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STP12NM50FP, VDSS 500 V, ID 21 A, Mejora, TO-220FP de 3 pines

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Código RS:
151-409
Nº ref. fabric.:
STP12NM50FP
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

21A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

500V

Serie

MDmesh

Encapsulado

TO-220FP

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

350mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.5V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±30 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

28nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Altura

30.6mm

Longitud

15.85mm

Anchura

10.4 mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET de potencia de canal N de STMicroelectronics, Este dispositivo desarrollado utilizando la tecnología MDmesh, que asocia el proceso de drenaje múltiple con la disposición horizontal PowerMESH de la compañía. Estos dispositivos ofrecen una resistencia a la conexión extremadamente baja, una dv/dt elevada y excelentes características de avalancha. Utilizando la técnica de banda patentada de ST, estos MOSFET de potencia presentan un rendimiento dinámico global superior al de productos similares del mercado.

100% avalancha probada

Baja capacitancia de entrada y carga de puerta

Baja resistencia de entrada de puerta

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