MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STF6N95K5, VDSS 950 V, ID 9 A, Mejora, TO-220FP de 3 pines
- Código RS:
- 151-419
- Nº ref. fabric.:
- STF6N95K5
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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Unidad(es) | Por unidad | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 50 - 450 | 1,473 € | 73,65 € |
| 500 + | 1,40 € | 70,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 151-419
- Nº ref. fabric.:
- STF6N95K5
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 9A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 950V | |
| Serie | MDmesh K5 | |
| Encapsulado | TO-220FP | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.25Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 13nC | |
| Tensión directa Vf | 1.6V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 25W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±30 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 9A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 950V | ||
Serie MDmesh K5 | ||
Encapsulado TO-220FP | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.25Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 13nC | ||
Tensión directa Vf 1.6V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 25W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±30 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
El MOSFET de potencia de STMicroelectronics está diseñado con tecnología MDmesh K5 basada en una innovadora estructura vertical patentada. El resultado es una drástica reducción de la resistencia de encendido y una carga de puerta ultrabaja para aplicaciones que requieren una densidad de potencia superior y una alta eficiencia.
El RDS(on) x área más bajo de la industria
La mejor FoM de la industria
Carga de puerta ultrabaja
Probado al 100% contra avalanchas
Protegido contra Zener
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