MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STD4NK60ZT4, VDSS 600 V, ID 4 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
151-440
Nº ref. fabric.:
STD4NK60ZT4
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

4A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Serie

SuperMESH

Encapsulado

TO-252

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

2Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±30 V

Tensión directa Vf

1.6V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

18.8nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

2.39mm

Longitud

10.34mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Anchura

6.73 mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET de potencia de STMicroelectronics se ha desarrollado utilizando la tecnología Super MESH, que se consigue mediante la optimización de una disposición de Power MESH bien establecida. Además de una reducción significativa de la resistencia, este dispositivo está diseñado para garantizar un alto nivel de capacidad dv/dt para las aplicaciones más exigentes.

100 % a prueba de avalancha

Carga de puerta minimizada

Capacitancia intrínseca muy baja

Protección Zener

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