MOSFET, N-Canal STMicroelectronics STD2NK100Z, VDSS 1000 V, ID 85 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 151-901
- Nº ref. fabric.:
- STD2NK100Z
- Fabricante:
- STMicroelectronics
La imagen representada puede no ser la del producto
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (2500 unidades, en bobina de 2500)*
2.387,50 €
(exc. IVA)
2.890,00 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Agotado temporalmente
- Envío desde el 26 de enero de 2027
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | 0,955 € | 2.387,50 € |
| 5000 + | 0,932 € | 2.330,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 151-901
- Nº ref. fabric.:
- STD2NK100Z
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 85A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1000V | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Serie | SuperMESH | |
| Tipo de montaje | Montaje superficial | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 8.5Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 16nC | |
| Tensión directa Vf | 1.6V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 70W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 159°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 85A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1000V | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Serie SuperMESH | ||
Tipo de montaje Montaje superficial | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 8.5Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 16nC | ||
Tensión directa Vf 1.6V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 70W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 159°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
El MOSFET de potencia de STMicroelectronics es un dispositivo de alta tensión con canal N con protección Zener desarrollado utilizando la tecnología SuperMESH, una optimización del PowerMESH bien establecido. Además de una reducción significativa de la resistencia de encendido, este dispositivo está diseñado para garantizar un alto nivel de capacidad dv/dt para las aplicaciones más exigentes.
Carga de puerta minimizada
Capacitancia intrínseca muy baja
Protegido por Zener
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 1000 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS -40 V Mejora, TO-252
- MOSFET VDSS -40 V Mejora, TO-252
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 550 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 900 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, TO-252 de 3 pines