MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STD2NK100Z, VDSS 1000 V, ID 85 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

Ver todo MOSFET
Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 tira de 10 unidades)*

4,82 €

(exc. IVA)

5,83 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 2140 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Tira*
10 - 900,482 €4,82 €
100 - 2400,457 €4,57 €
250 - 4900,425 €4,25 €
500 - 9900,391 €3,91 €
1000 +0,376 €3,76 €

*precio indicativo

Opciones de empaquetado:
Código RS:
151-902
Nº ref. fabric.:
STD2NK100Z
Fabricante:
STMicroelectronics
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

85A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1000V

Encapsulado

TO-252

Serie

SuperMESH

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

8.5Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

16nC

Disipación de potencia máxima Pd

70W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.6V

Temperatura de funcionamiento máxima

159°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET de potencia de STMicroelectronics es un dispositivo de alta tensión con canal N con protección Zener desarrollado utilizando la tecnología SuperMESH, una optimización del PowerMESH bien establecido. Además de una reducción significativa de la resistencia de encendido, este dispositivo está diseñado para garantizar un alto nivel de capacidad dv/dt para las aplicaciones más exigentes.

Carga de puerta minimizada

Capacitancia intrínseca muy baja

Protegido por Zener

Enlaces relacionados