MOSFET, N-Canal STMicroelectronics STD2HNK60Z, VDSS 600 V, ID 2 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 151-934
- Nº ref. fabric.:
- STD2HNK60Z
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Subtotal (2500 unidades, en bobina de 2500)*
1.247,50 €
(exc. IVA)
1.510,00 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Agotado temporalmente
- Envío desde el 21 de enero de 2027
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 2500 + | 0,499 € | 1.247,50 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 151-934
- Nº ref. fabric.:
- STD2HNK60Z
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 2A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Serie | SuperMESH | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 4.8Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 11nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30V | |
| Tensión directa Vf | 1.6V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Anchura | 6.6mm | |
| Altura | 2.4mm | |
| Longitud | 10.1mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 2A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Serie SuperMESH | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 4.8Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 11nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30V | ||
Tensión directa Vf 1.6V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Anchura 6.6mm | ||
Altura 2.4mm | ||
Longitud 10.1mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
El MOSFET de potencia de STMicroelectronics se ha desarrollado utilizando la tecnología Super MESH, que se consigue mediante la optimización de una disposición Power MESH basada en tira bien establecida. Además de una reducción significativa de la resistencia, este dispositivo está diseñado para garantizar un alto nivel de capacidad dv/dt para las aplicaciones más exigentes.
100 % a prueba de avalancha
Carga de puerta minimizada
Capacitancia intrínseca muy baja
Protección Zener
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, TO-252 de 3 pines