MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics SH63N65DM6AG, VDSS 650 V, ID 53 A, Mejora, ACEPACK SMIT de 8 pines

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Código RS:
152-112
Nº ref. fabric.:
SH63N65DM6AG
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

53A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Encapsulado

ACEPACK SMIT

Serie

MDmesh DM6

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

64mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

424W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±25 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

8nC

Tensión directa Vf

1.55V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

AQG 324

Estándar de automoción

AEC

COO (País de Origen):
CN
El dispositivo STMicroelectronics combina dos MOSFET en una topología de medio puente. El ACEPACK SMIT es un módulo de alimentación muy compacto y robusto en un encapsulado de montaje en superficie para facilitar el montaje. Gracias al sustrato DBC, el encapsulado ACEPACK SMIT ofrece una baja resistencia térmica junto con una almohadilla térmica aislada del lado superior. La alta flexibilidad de diseño del encapsulado permite varias configuraciones, incluidas patas de fase, impulso e interruptor único a través de diferentes combinaciones de los interruptores de alimentación internos.

AQG 324 cualificados

Módulo de alimentación de medio puente

Tensión de bloqueo de 650 V

Diodo de cuerpo de recuperación rápida

Energías de conmutación muy bajas

Inductancia de encapsulado baja

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