MOSFET, N-Canal STMicroelectronics SCT040W120G3-4, VDSS 1.2 kV, ID 40 A, Mejora, Hip-247-4 de 4 pines
- Código RS:
- 214-957
- Nº ref. fabric.:
- SCT040W120G3-4
- Fabricante:
- STMicroelectronics
No disponible actualmente
Desconocemos si volveremos a disponer de este artículo. RS tiene previsto retirarlo próximamente de nuestra gama de productos.
- Código RS:
- 214-957
- Nº ref. fabric.:
- SCT040W120G3-4
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 40A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1.2kV | |
| Serie | SCT | |
| Encapsulado | Hip-247-4 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 40mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -10V, 22V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 56nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 312W | |
| Tensión directa Vf | 1.2kV | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 200°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS, ECOPACK2 | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 40A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1.2kV | ||
Serie SCT | ||
Encapsulado Hip-247-4 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 40mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -10V, 22V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 56nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 312W | ||
Tensión directa Vf 1.2kV | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 200°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS, ECOPACK2 | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El dispositivo MOSFET de potencia de carburo de silicio de STMicroelectronics se ha desarrollado utilizando la tecnología MOSFET SiC de 3a generación avanzada e innovadora de ST. El dispositivo dispone de un RDS(on) muy bajo en todo el rango de temperaturas combinado con bajas capacitancias y operaciones de conmutación muy altas, que mejoran el rendimiento de la aplicación en frecuencia, eficiencia energética, tamaño del sistema y reducción de peso.
Alto rendimiento de conmutación
Diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y robusto
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 1200 V Mejora, Hip-247-4 de 4 pines
- MOSFET VDSS 1200 V Mejora, Hip-247 de 4 pines
- MOSFET VDSS 1200 V Mejora, Hip-247 de 4 pines
- MOSFET VDSS 1200 V Mejora, Hip-247 de 4 pines
- MOSFET VDSS 1200 V Mejora, Hip-247 de 4 pines
- MOSFET VDSS 1200 V Mejora, Hip-247 de 4 pines
- STMicroelectronics VDSS 1200 V Hip-247-4, Mejora de 4 pines
- MOSFET VDSS 1200 V Mejora, Hip-247 de 4 pines