MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics SCT040W120G3-4, VDSS 1200 V, ID 40 A, Mejora, Hip-247-4 de 4 pines

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Código RS:
214-957
Nº ref. fabric.:
SCT040W120G3-4
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

40A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1200V

Encapsulado

Hip-247-4

Serie

SCT

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

40mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1200V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

56nC

Disipación de potencia máxima Pd

312W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

-10 to 22 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

200°C

Certificaciones y estándares

RoHS, ECOPACK2

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origen):
CN
El dispositivo MOSFET de potencia de carburo de silicio de STMicroelectronics se ha desarrollado utilizando la tecnología MOSFET SiC de 3a generación avanzada e innovadora de ST. El dispositivo dispone de un RDS(on) muy bajo en todo el rango de temperaturas combinado con bajas capacitancias y operaciones de conmutación muy altas, que mejoran el rendimiento de la aplicación en frecuencia, eficiencia energética, tamaño del sistema y reducción de peso.

Alto rendimiento de conmutación

Diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y robusto

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