MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia PSMN1R0-40YLDX, VDSS 40 V, ID 280 A, Mejora, LFPAK de 5 pines
- Código RS:
- 219-426
- Nº ref. fabric.:
- PSMN1R0-40YLDX
- Fabricante:
- Nexperia
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 tira de 1 unidad)*
2,36 €
(exc. IVA)
2,86 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Disponible
- Disponible(s) 1465 unidad(es) más para enviar a partir del 26 de enero de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Tira(s) | Por Tira |
|---|---|
| 1 - 9 | 2,36 € |
| 10 - 99 | 2,12 € |
| 100 - 499 | 1,97 € |
| 500 - 999 | 1,81 € |
| 1000 + | 1,63 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 219-426
- Nº ref. fabric.:
- PSMN1R0-40YLDX
- Fabricante:
- Nexperia
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Nexperia | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 280A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Encapsulado | LFPAK | |
| Serie | PSM | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 5 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.1mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 59nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 198W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 4.5 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Nexperia | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 280A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Encapsulado LFPAK | ||
Serie PSM | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 5 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.1mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 59nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 198W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 4.5 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- PH
El MOSFET de canal N de Nexperia dispone de la cartera NextPowerS3 que utiliza la exclusiva tecnología SchottkyPlus de NXP que proporciona una alta eficiencia y un bajo rendimiento de pico normalmente asociado con MOSFETS con un diodo Schottky o similar a Schottky integrado, pero sin una corriente de fuga alta problemática. NextPowerS3 es especialmente adecuado para aplicaciones de alta eficiencia a altas frecuencias de conmutación.
Baja inductancia y resistencia parásita
Con clasificación de avalancha
Capaz de soldadura por onda
Conmutación súper rápida con recuperación suave
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, LFPAK de 5 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, LFPAK de 5 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, LFPAK de 5 pines
- MOSFET VDSS 25 V Mejora, LFPAK de 5 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, LFPAK de 5 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, LFPAK de 5 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, LFPAK de 5 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, LFPAK de 5 pines