MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia PSMN4R8-100BSEJ, VDSS 100 V, ID 120 A, Mejora, LFPAK de 4 pines

Ver todo MOSFET
Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 tira de 1 unidad)*

3,66 €

(exc. IVA)

4,43 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Información relativa a las existencias no accesible actualmente - Vuelva a comprobarlo más tarde

Tira(s)
Por Tira
1 - 93,66 €
10 - 993,29 €
100 +3,04 €

*precio indicativo

Opciones de empaquetado:
Código RS:
219-429
Nº ref. fabric.:
PSMN4R8-100BSEJ
Fabricante:
Nexperia
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Nexperia

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

120A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

LFPAK

Serie

PSM

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

4.8mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

25°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

278nC

Disipación de potencia máxima Pd

405W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
PH
El MOSFET de canal N de Nexperia dispone de un RDS(on) muy bajo y un rendimiento de área de funcionamiento seguro mejorado. Está optimizado para controladores de intercambio en caliente, capaz de resistir corrientes de entrada altas y minimizar las pérdidas de I2R para mejorar la eficiencia. Las aplicaciones incluyen cambio en caliente, conmutación de carga, arranque suave y fusible electrónico.

SOA para un funcionamiento de modo lineal superior

Encapsulado LLFPAK88 para aplicaciones que requieren el máximo rendimiento

Enlaces relacionados