MOSFET ROHM, Tipo N-Canal HP8KC6TB1, VDSS 60 V, HSOP-8, Mejora de 8 pines, 2

Ver todo MOSFET
Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 tira de 5 unidades)*

9,96 €

(exc. IVA)

12,05 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 100 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Tira*
5 - 451,992 €9,96 €
50 - 951,892 €9,46 €
100 - 4951,754 €8,77 €
500 - 9951,616 €8,08 €
1000 +1,552 €7,76 €

*precio indicativo

Opciones de empaquetado:
Código RS:
264-757
Nº ref. fabric.:
HP8KC6TB1
Fabricante:
ROHM
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

ROHM

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

HSOP-8

Serie

HP8

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

27mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.2V

Disipación de potencia máxima Pd

21W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

7.6nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

No

El ROHM 60V 23A Dual Nch+Nch es un MOSFET de baja resistencia de encendido ideal para aplicaciones de conmutación.

Encapsulado de montaje superficial pequeño (HSOP8)

Revestimiento de plomo sin Pb y conforme a RoHS

Sin halógenos

Enlaces relacionados