Nº ref. fabric.

MOSFET ROHM, Tipo N-Canal HT8KE5TB1, VDSS 100 V, ID 7 A, HSMT-8, Mejora de 8 pines, 2

Código RS:: 264-874
Nº ref. fabric.:: HT8KE5TB1
Fabricante:: ROHM

MOSFET ROHM, Tipo N-Canal HT8KE5TB1, VDSS 100 V, ID 7 A, HSMT-8, Mejora de 8 pines, 2

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100 - 240	0,496 €	4,96 €
250 - 490	0,458 €	4,58 €
500 - 990	0,422 €	4,22 €
1000 +	0,407 €	4,07 €

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Código RS:: 264-874
Nº ref. fabric.:: HT8KE5TB1
Fabricante:: ROHM

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	ROHM
	Tipo de canal	Tipo N
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	7A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	100V
	Encapsulado	HSMT-8
	Serie	HT8K
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	193mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	2.9nC
	Tensión directa Vf	1.2V
	Disipación de potencia máxima Pd	13W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	±20 V
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Certificaciones y estándares	No
	Número de elementos por chip	2
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca ROHM
	Tipo de canal Tipo N
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 7A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V
	Encapsulado HSMT-8
	Serie HT8K
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 193mΩ
	Modo de canal Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 2.9nC
	Tensión directa Vf 1.2V
	Disipación de potencia máxima Pd 13W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta ±20 V
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Certificaciones y estándares No
	Número de elementos por chip 2
	Estándar de automoción No

Datasheet - HT8KE5TB1

El MOSFET de potencia ROHM presenta una configuración de doble canal N con una tensión nominal de 100 V y una capacidad de corriente de 7 A. Diseñado en un encapsulado HSOP8 y ofrece una baja resistencia a la conexión.

Baja resistencia

Encapsulado de montaje superficial pequeño (HSOP8)

Revestimiento de plomo sin Pb y conforme a RoHS

Sin halógenos

MOSFET ROHM, Tipo N-Canal HT8KE5TB1, VDSS 100 V, ID 7 A, HSMT-8, Mejora de 8 pines, 2

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