MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NXH008P120M3F1PTG, VDSS 1200 V, ID 145 A, Mejora, PIM18 de 18 pines

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277-050
Nº ref. fabric.:
NXH008P120M3F1PTG
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

145A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1200V

Serie

NXH

Encapsulado

PIM18

Tipo de montaje

Montaje de encaje a presión

Número de pines

18

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

10.9mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

34.2W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

419nC

Tensión directa Vf

6.2V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

22 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

El módulo de alimentación de ON Semiconductor contiene un semipuente MOSFET SiC de 8 mΩ y 1200 V y un termistor, todo ello alojado en un encapsulado F1. Este módulo está diseñado para aplicaciones de alimentación de alta eficiencia, por lo que es ideal para su uso en inversores solares, sistemas de alimentación ininterrumpida (SAI), estaciones de carga de vehículos eléctricos y sistemas de alimentación industriales.

Pasadores a presión

Sin Pb

Sin halogenuros y conforme a RoHS

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