MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NXH015P120M3F1PTG, VDSS 1200 V, ID 77 A, Mejora, PIM18 de 18 pines

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Código RS:
277-053
Nº ref. fabric.:
NXH015P120M3F1PTG
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

77A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1200V

Encapsulado

PIM18

Serie

NXH

Tipo de montaje

Montaje de encaje a presión

Número de pines

18

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

20mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

211nC

Disipación de potencia máxima Pd

198W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

22 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

El módulo de alimentación de ON Semiconductor contiene un semipuente MOSFET de SiC de 15 mΩ y 1200 V y un termistor, todo ello empaquetado en formato F1. Está diseñado para la conversión de energía de alta eficiencia, por lo que es ideal para aplicaciones como inversores solares, sistemas de alimentación ininterrumpida (SAI), estaciones de carga de vehículos eléctricos y sistemas de alimentación industriales.

Pasadores a presión

Sin Pb

Sin halogenuros y conforme a RoHS

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