MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NXH011F120M3F2PTHG, VDSS 1200 V, ID 105 A, Mejora, PIM34 de 34 pines

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220-578
Nº ref. fabric.:
NXH011F120M3F2PTHG
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

105A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1200V

Encapsulado

PIM34

Serie

NXH

Número de pines

34

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

16mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

6.2V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Disipación de potencia máxima Pd

244W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

22 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

284nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

El MOSFET de ON Semiconductor es un módulo de potencia que contiene un puente completo MOSFET de SiC de 11 m ohm / 1200 V y un termistor con HPS DBC en un encapsulado F2.

Sin halógenos

Compatible con RoHS

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