MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NXH006P120M3F2PTHG, VDSS 1200 V, ID 191 A, Mejora, PIM36 de 36 pines
- Código RS:
- 220-575
- Nº ref. fabric.:
- NXH006P120M3F2PTHG
- Fabricante:
- onsemi
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Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 191A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1200V | |
| Encapsulado | PIM36 | |
| Serie | NXH | |
| Número de pines | 36 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 6.5mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Tensión directa Vf | 7.5V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 556W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 22 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 622nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 16.5mm | |
| Longitud | 51mm | |
| Anchura | 62.8 mm | |
| Certificaciones y estándares | Halide Free, RoHS, Pb-Free | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 191A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1200V | ||
Encapsulado PIM36 | ||
Serie NXH | ||
Número de pines 36 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 6.5mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Tensión directa Vf 7.5V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 556W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 22 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 622nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 16.5mm | ||
Longitud 51mm | ||
Anchura 62.8 mm | ||
Certificaciones y estándares Halide Free, RoHS, Pb-Free | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de ON Semiconductor es un módulo de potencia que contiene un semipuente MOSFET de SiC de 6 m ohm / 1200 V y un termistor con HPS DBC en un encapsulado F2.
Sin halógenos
Compatible con RoHS
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