MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NXH006P120M3F2PTHG, VDSS 1200 V, ID 191 A, Mejora, PIM36 de 36 pines

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220-575
Nº ref. fabric.:
NXH006P120M3F2PTHG
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

191A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1200V

Serie

NXH

Encapsulado

PIM36

Número de pines

36

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

6.5mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

622nC

Tensión directa Vf

7.5V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

22 V

Disipación de potencia máxima Pd

556W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

Halide Free, RoHS, Pb-Free

Longitud

51mm

Anchura

62.8 mm

Altura

16.5mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET de ON Semiconductor es un módulo de potencia que contiene un semipuente MOSFET de SiC de 6 m ohm / 1200 V y un termistor con HPS DBC en un encapsulado F2.

Sin halógenos

Compatible con RoHS

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