MOSFET, N-Canal onsemi NXH010P120M3F1PTG, VDSS 1.2 kV, ID 105 A, Mejora, PIM18 de 18 pines

Ver todo MOSFET
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidad

Subtotal (1 unidad)*

78,60 €

(exc. IVA)

95,11 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 27 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"

Unidad(es)
Por unidad
1 - 978,60 €
10 +70,74 €

*precio indicativo

Opciones de empaquetado:
Código RS:
277-052
Nº ref. fabric.:
NXH010P120M3F1PTG
Fabricante:
onsemi
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

onsemi

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

105A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1.2kV

Encapsulado

PIM18

Serie

NXH

Tipo de montaje

Montaje de encaje a presión

Número de pines

18

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

24.5mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

272W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

22V

Tensión directa Vf

6V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

314nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS Compliant

El módulo de alimentación de ON Semiconductor contiene un semipuente MOSFET SiC de 10 mΩ y 1200 V y un termistor, todo integrado en un encapsulado F1. Este módulo es idóneo para aplicaciones de alto rendimiento, como inversores solares, sistemas de alimentación ininterrumpida (SAI), estaciones de carga de vehículos eléctricos y sistemas de alimentación industriales.

Pasadores a presión

Sin Pb

Sin halogenuros y conforme a RoHS

Enlaces relacionados

Mantente al día de nuestras novedades y ofertas

Introduce tu dirección de correo

La información personal que nos proporciones al suscribirte se procesará de acuerdo con nuestra política de privacidad.