MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NXH010P120M3F1PTG, VDSS 1200 V, ID 105 A, Mejora, PIM18 de 18 pines

Ver todo MOSFET
Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 unidad)*

77,39 €

(exc. IVA)

93,64 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 27 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"

Unidad(es)
Por unidad
1 - 977,39 €
10 +69,65 €

*precio indicativo

Opciones de empaquetado:
Código RS:
277-052
Nº ref. fabric.:
NXH010P120M3F1PTG
Fabricante:
onsemi
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

onsemi

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

105A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1200V

Encapsulado

PIM18

Serie

NXH

Tipo de montaje

Montaje de encaje a presión

Número de pines

18

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

24.5mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

314nC

Disipación de potencia máxima Pd

272W

Tensión directa Vf

6V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS Compliant

El módulo de alimentación de ON Semiconductor contiene un semipuente MOSFET SiC de 10 mΩ y 1200 V y un termistor, todo integrado en un encapsulado F1. Este módulo es idóneo para aplicaciones de alto rendimiento, como inversores solares, sistemas de alimentación ininterrumpida (SAI), estaciones de carga de vehículos eléctricos y sistemas de alimentación industriales.

Pasadores a presión

Sin Pb

Sin halogenuros y conforme a RoHS

Enlaces relacionados