MOSFET, N-Canal onsemi NXH010P120M3F1PTG, VDSS 1.2 kV, ID 105 A, Mejora, PIM18 de 18 pines

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277-052
Nº ref. fabric.:
NXH010P120M3F1PTG
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

105A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1.2kV

Encapsulado

PIM18

Serie

NXH

Tipo de montaje

Montaje de encaje a presión

Número de pines

18

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

24.5mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

6V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

22V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

314nC

Disipación de potencia máxima Pd

272W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS Compliant

El módulo de alimentación de ON Semiconductor contiene un semipuente MOSFET SiC de 10 mΩ y 1200 V y un termistor, todo integrado en un encapsulado F1. Este módulo es idóneo para aplicaciones de alto rendimiento, como inversores solares, sistemas de alimentación ininterrumpida (SAI), estaciones de carga de vehículos eléctricos y sistemas de alimentación industriales.

Pasadores a presión

Sin Pb

Sin halogenuros y conforme a RoHS

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