MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NXH030F120M3F1PTG, VDSS 1200 V, ID 38 A, Mejora, PIM22 de 22 pines

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Código RS:
277-054
Nº ref. fabric.:
NXH030F120M3F1PTG
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

38A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1200V

Serie

NXH

Encapsulado

PIM22

Tipo de montaje

Montaje de encaje a presión

Número de pines

22

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

38.5mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

110nC

Disipación de potencia máxima Pd

34.2W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

22 V

Tensión directa Vf

6V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

El módulo de alimentación de ON Semiconductor contiene un puente completo MOSFET de SiC de 30 mΩ y 1200 V y un termistor, con un DBC (Direct Bonded Copper) de Al2O3 en un encapsulado F1. Este módulo de alto rendimiento está diseñado para una conversión de energía eficiente y es ideal para aplicaciones como inversores solares, sistemas de alimentación ininterrumpida (SAI), estaciones de carga de vehículos eléctricos y sistemas de alimentación industriales.

Sin Pb

Sin halogenuros y conforme a RoHS

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